[發(fā)明專利]陣列基板和顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710839999.2
• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN107515498B
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝明;賈強;張明瑋;孔祥建;劉金娥;秦鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1335;G02F1/1343
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基底層；

第一金屬層，位于所述基底層的一側(cè)，用于設(shè)置薄膜晶體管的柵極；

第一絕緣層，位于所述第一金屬層遠離所述基底層的一側(cè)；

第二金屬層，位于所述第一絕緣層遠離所述第一金屬層的一側(cè)，用于設(shè)置所述薄膜晶體管的源漏極；

第二絕緣層，位于所述第二金屬層遠離所述第一絕緣層的一側(cè)；

第一電極層，位于所述第二絕緣層遠離所述第二金屬層的一側(cè)，用于設(shè)置像素電極；

反射層，位于所述第一電極層遠離所述第二絕緣層的一側(cè)，用于實現(xiàn)反射顯示；

其中，所述第二絕緣層設(shè)置有過孔，所述像素電極經(jīng)所述過孔連接所述薄膜晶體管的漏極，所述反射層設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔在所述基底層的正投影覆蓋所述過孔在所述基底層的正投影；

所述陣列基板還包括：第二電極層，位于所述第一電極層與所述第一絕緣層之間，其中，所述第一電極層與所述第二電極層均為透明導(dǎo)電膜；

所述第二電極層在所述基底層的正投影與所述過孔在所述基底層的正投影、與所述薄膜晶體管的漏極在所述基底層的正投影分別具有重疊的部分；

所述第二金屬層在所述基底層的正投影與所述過孔在所述基底層的正投影不重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二電極層位于所述第一絕緣層與所述第二金屬層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第二電極層位于所述第二金屬層與所述第二絕緣層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一金屬層還用于設(shè)置存儲電極；

所述第一金屬層設(shè)置有第二通孔，所述第二通孔在所述基底層的正投影覆蓋所述過孔在所述基底層的正投影。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

沿第一方向延伸的第一直線與所述第一通孔在所述基底層的正投影具有第一交點和第二交點，其中，所述第一方向與所述基底層所在的平面平行；

所述第二金屬層在所述基底層的正投影具有靠近所述第一通孔的第一邊緣，所述第一直線與所述第一邊緣具有第三交點，其中，所述第二交點位于所述第一交點與所述第三交點之間；

第一距離為所述第二交點與所述第三交點之間的距離；

第二距離為在第二方向上所述第二金屬層遠離所述第一絕緣層一側(cè)的表面至所述反射層靠近所述第一絕緣層一側(cè)的表面之間的距離，其中，第二方向與所述基底層所在的平面垂直；

所述第一距離大于所述第二距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一距離大于所述第二距離與1.73的乘積。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

沿第一方向延伸的第一直線與所述第一通孔在所述基底層的正投影具有第一交點和第二交點，其中，所述第一方向與所述基底層所在的平面平行；

所述第一金屬層在所述基底層的正投影具有靠近所述第一通孔的第二邊緣，所述第一直線與所述第二邊緣具有第四交點，其中，所述第二交點位于所述第一交點與所述第四交點之間；

第三距離為所述第二交點與所述第四交點之間的距離；

第四距離為在第二方向上所述第一金屬層遠離所述基底層一側(cè)的表面至所述反射層靠近所述第一絕緣層一側(cè)的表面之間的距離，其中，第二方向與所述基底層所在的平面垂直；

所述第三距離大于所述第四距離。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，

所述第三距離大于所述第四距離與1.73的乘積。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一通孔在所述基底層的正投影與所述過孔在所述基底層的正投影重疊。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任一項所述的陣列基板。