[發(fā)明專利]一種階躍型超低衰減少模光纖有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710839861.2 | 申請日： | 2017-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN107608023B | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 周紅燕;吳俊;王瑞春;汪洪海;張磊;朱繼紅;張名凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 長飛光纖光纜股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/028 | 分類號： | G02B6/028;G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 階躍 型超低 衰減 光纖 | ||
1.一種階躍型超低衰減少模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于所述的芯層半徑r1為6.1～8μm，相對折射率差Δn1為0～0.20％，芯層外從內(nèi)向外依次包覆內(nèi)包層、下陷內(nèi)包層、輔助外包層和外包層，所述的內(nèi)包層半徑r2為8.5～14μm，相對折射率差Δn2為-0.45～-0.23％，所述的下陷內(nèi)包層半徑r3為14.5～30μm，相對折射率差Δn3為-0.65～-0.40％，所述的輔助外包層半徑r4為35～50μm，相對折射率差Δn4為-0.45～-0.23％，所述的外包層半徑r5為62～63μm，外包層為純二氧化硅玻璃層；所述的芯層為鍺氟及堿金屬共摻的二氧化硅玻璃層，或鍺與堿金屬共摻的二氧化硅玻璃層，其中鍺的摻雜貢獻量為0.04％～0.08％，堿金屬的摻雜量按重量計為5～3000ppm；所述光纖在1550nm波長處支持兩個穩(wěn)定的傳輸模式，分別是LP01和LP11；
所述的光纖各層相對折射率差為其中ni為光纖某特定位置的絕對折射率，而nc為純二氧化硅的絕對折射率。
2.按權(quán)利要求1所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述芯層中摻入堿金屬的元素為鋰、鈉、鉀、銣、鈁中的一種或幾種。
3.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述的下陷內(nèi)包層為氟摻雜二氧化硅玻璃層。
4.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述的內(nèi)包層相對折射率差Δn2大于輔助外包層相對折射率差Δn4，輔助外包層相對折射率差Δn4大于下陷包層相對折射率差Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。
5.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖的兩個傳輸模式在1550nm波長處的衰減系數(shù)均小于或等于0.160dB/km。
6.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處的DGD的絕對值的最大值小于或等于4ps/m。
7.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述的LP01傳輸模式在1550nm波長處光纖的有效面積為120～170μm2，在1550nm波長處的色散值小于或等于22ps/(nm*km)；所述的LP11傳輸模式在1550nm波長處光纖的有效面積為150～210μm2，在1550nm波長處的色散值小于或等于24ps/(nm*km)。
8.按權(quán)利要求1或2所述的階躍型超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖在1700nm波長處的微彎損耗小于或等于4dB/km。
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