[發(fā)明專利]成像設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710839632.0 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN107482027B | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 若林準人 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 安之斐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 設備 | ||
本公開的固態(tài)成像設備包括:信號處理單元,包括AD轉換器,該AD轉換器對使用信號線從像素陣列的每個像素讀出的模擬像素信號數(shù)字化,該信號處理單元以高于幀速率的第一速度傳送數(shù)字化的像素數(shù)據(jù);存儲器單元,保存從該信號處理單元傳送的像素數(shù)據(jù);數(shù)據(jù)處理單元,以低于該第一速度的第二速度從該存儲器單元讀出像素數(shù)據(jù);以及控制單元,當從該存儲器單元讀取像素數(shù)據(jù)時,該控制單元進行控制以停止與該信號線連接的電流源的操作以及該信號處理單元的至少該AD轉換器的操作。
本申請是申請日為2013年5月30日、申請?zhí)枮?01380035054.5、發(fā)明名稱為“固態(tài)成像設備、固態(tài)成像設備的驅動方法以及電子裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。
技術領域
本公開涉及固態(tài)成像設備和固態(tài)成像設備的驅動方法以及電子裝置。
背景技術
近年來,固態(tài)成像設備、特別是CMOS(互補金屬氧化物半導體)圖像傳感器通過利用低功耗和高速性能已經(jīng)廣泛安裝在諸如移動電話、數(shù)碼相機、單鏡頭反射像機、攝像放像機、監(jiān)視攝像機等的電子裝置中。此外,其中甚至諸如用于圖像處理的塊的功能電路塊與像素陣列電路一起形成在芯片上的具有高性能和高圖像質量的圖像傳感器近來也開始出現(xiàn)。
傳統(tǒng)上,作為從CMOS圖像傳感器中的像素陣列的每個像素讀取信號的方法,存在一種技術,其中非易失性存儲器提供在對從像素讀取的模擬像素信號數(shù)字化的信號處理單元的后級中,由此實現(xiàn)使用非易失性存儲器的高速讀取(例如參見專利文獻1)。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:JP 2004-64410A
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的問題
在上述的傳統(tǒng)技術中,在將像素數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器中之后,致使從非易失性存儲器輸出(讀取)像素數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)輸出單元以比像素數(shù)據(jù)到非易失性存儲器的傳送速度更慢的低速而操作,由此實現(xiàn)低功耗。但是,在這樣的傳統(tǒng)技術中,因為僅通過數(shù)據(jù)輸出單元的低速操作而實現(xiàn)低功耗,所以降低功耗的效果小。
這樣,本公開的一個目標是提供能夠以低功耗實現(xiàn)以高速讀出像素數(shù)據(jù)的固態(tài)成像設備以及固態(tài)成像設備的驅動方法,并且提供具有這樣的固態(tài)成像設備的電子裝置。
問題的解決方案
根據(jù)本公開的一個方面,用于實現(xiàn)上述目標的本公開的成像設備,包括:
第一基板,所述第一基板包括:
具有在第一方向和第二方向上布置的多個像素的像素陣列單元,以及多條信號線;
沿所述像素陣列單元的第一側布置的第一多個通孔;
沿所述像素陣列單元的第二側布置的第二多個通孔;
沿所述像素陣列單元的第三側布置的第三多個通孔,所述第一側和所述第二側在所述第一方向上延伸,所述第三側在所述第二方向上延伸,所述第一方向橫向于所述第二方向;以及
第二基板,所述第二基板包括:
與所述第一多個通孔相鄰布置的第一多個模數(shù)轉換器,所述第一多個模數(shù)轉換器中的第一模數(shù)轉換器具有第一比較器、第一計數(shù)器和第一鎖存電路,
耦合到所述第一鎖存電路的第一存儲器,
與所述第二多個通孔相鄰布置的第二多個模數(shù)轉換器,所述第二多個模數(shù)轉換器中的第二模數(shù)轉換器具有第二比較器、第二計數(shù)器和第二鎖存電路,以及
耦合到所述第二鎖存電路的第二存儲器,
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





