[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201710839551.0
• 申請日: 2017-09-18
• 公開（公告）號: CN107871749B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 金重浩;金斐悟;安宰永;劉東哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H10B43/35
• 分類號: H10B43/35;H10B43/27
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成交替地和重復地一個堆疊在另一個之上的絕緣層和犧牲層；

形成穿透所述絕緣層和所述犧牲層的垂直孔；以及

在所述垂直孔中形成垂直溝道結構，

形成所述垂直溝道結構包括形成阻擋絕緣層、電荷存儲層、隧道絕緣層和半導體圖案，

形成所述阻擋絕緣層包括形成第一氧化目標層、氧化所述第一氧化目標層以形成第一子阻擋層、以及形成第二子阻擋層使得所述第一子阻擋層在所述第二子阻擋層與所述垂直孔的內側壁之間，

其中形成所述第二子阻擋層包括：

形成第二氧化目標層；以及

氧化所述第二氧化目標層，

所述第一氧化目標層的剩余部分在氧化所述第一氧化目標層之后留下，以及

氧化所述第二氧化目標層包括在氧化所述第二氧化目標層期間氧化所述第一氧化目標層的所述剩余部分。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一氧化目標層包括將所述第一氧化目標層形成為包括硅或硅氮化物。

3.根據權利要求2所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一子阻擋層包括基于氧化所述第一氧化目標層中包括的硅或硅氮化物而將所述第一子阻擋層形成為包括硅氧化物。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第二氧化目標層包括將所述第二氧化目標層形成為包括硅或硅氮化物。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中所述第一子阻擋層的微結構比所述第二子阻擋層的微結構更精細。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，還包括：

去除所述犧牲層以形成間隙區域，其中

所述間隙區域暴露所述第一子阻擋層。

7.根據權利要求6所述的制造半導體器件的方法，其中所述間隙區域不暴露所述第二子阻擋層。

8.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一子阻擋層包括將所述第一子阻擋層形成為沿著垂直于所述襯底的頂表面的方向延伸。

9.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成交替地和重復地一個堆疊在另一個之上的絕緣層和犧牲層；

形成穿透所述絕緣層和所述犧牲層的垂直孔；以及

在所述垂直孔中形成垂直溝道結構，

形成所述垂直溝道結構包括在所述垂直孔的內側壁上形成第一子阻擋層、以及在所述第一子阻擋層的內側壁上形成第二子阻擋層，

形成所述第一子阻擋層包括在所述垂直孔的所述內側壁上形成硅氮化物層、以及氧化所述硅氮化物層，

其中形成所述第二子阻擋層包括：

形成氧化目標層；以及

氧化所述氧化目標層，

所述硅氮化物層的剩余部分在氧化所述硅氮化物層之后留下，以及

氧化所述氧化目標層包括在氧化所述氧化目標層期間氧化所述硅氮化物層的所述剩余部分。

10.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一子阻擋層包括將所述硅氮化物層形成為接觸所述垂直孔的所述內側壁。

11.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，其中形成所述第一子阻擋層包括將所述第一子阻擋層形成為包括大于0.0at％且小于等于0.1at％的氮。

12.根據權利要求9所述的制造半導體器件的方法，還包括：

去除所述犧牲層以形成暴露所述第一子阻擋層的間隙區域，其中

所述間隙區域不暴露所述第二子阻擋層。