[發明專利]一種彩膜基板及顯示設備在審
| 申請號: | 201710839434.4 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN107591431A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發明(設計)人: | 史文 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 彩膜基板 顯示 設備 | ||
1.一種彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板包括:
襯底基板;
黑矩陣,設置于所述襯底基板上并形成有以矩陣方式間隔排列的多個開口區域,以作為所述彩膜基板的子像素區域;
第一轉換材料層,設置于所述子像素區域中的第一子像素區域內,所述第一轉換材料層用于將具有第一波長的入射光波長轉換成具有第二波長的第一出射光,其中所述第一波長大于所述第二波長。
2.根據權利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板進一步包括第二轉換材料層,所述第二轉換材料層設置于所述子像素區域中的第二子像素區域內,所述第二轉換材料層用于將所述入射光波長轉換成具有第三波長的第二出射光,其中所述第一波長大于所述第三波長。
3.根據權利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述入射光為紅光,所述第一出射光和所述第二出射光分別為藍光和綠光。
4.根據權利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一轉換材料層和所述第二轉換材料層中的至少一者為包含有無機基質及稀土摻雜離子的上轉換納米顆粒。
5.根據權利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板進一步包括第二轉換材料層,所述第二轉換材料層設置于所述子像素區域中的第二子像素區域內,所述第二轉換材料層用于將所述入射光波長轉換成具有第三波長的第二出射光,其中所述第一波長小于所述第三波長。
6.根據權利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述入射光為綠光,所述第一出射光和所述第二出射光分別為藍光和紅光。
7.根據權利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一轉換材料層為包含有無機基質及稀土摻雜離子的上轉換納米顆粒,所述第二轉換材料層為下轉換量子點材料。
8.根據權利要求2-7任意一項所述的彩膜基板,其特征在于,所述子像素區域中的第三子像素區域設置為至少部分透射所述入射光,以作為第三出射光。
9.一種顯示設備,其特征在于,所述顯示設備包括如權利要求1-8任一項所述的彩膜基板。
10.根據權利要求9所述的顯示設備,其特征在于,所述顯示設備包括主動發光陣列基板,所述主動發光陣列基板包括多個發光區域,所述發光區域與所述子像素區域對應設置,以分別向所述子像素區域提供所述入射光。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司,未經深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710839434.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





