[發明專利]一種QLED顯示面板的像素定義層模塊

在審

• 申請號: 201710836302.6
• 申請日: 2017-09-16
• 公開（公告）號: CN107799569A
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 白航空
• 申請（專利權）人: 合肥惠科金揚科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種QLED顯示面板的像素定義層模塊。

背景技術

量子點電致發光二極管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)是一種新型的自發光型二極管，QLED顯示面板相比與傳統的顯示面板具有高色飽和度與高色域的特點，現有的QLED顯示面板結構復雜，需要設置過孔連接，生產成本較高，產品競爭力不強。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種QLED顯示面板，能夠簡化QLED顯示面板的結構，降低QLED顯示面板的生產成本，提升產品競爭力。同時，本發明還提供了一種QLED顯示面板的像素定義層模塊及其制造工藝。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種QLED顯示面板，包括：基板、覆蓋所述基板的緩沖層、設于所述緩沖層上的柵極、覆蓋所述柵極和緩沖層的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的有源層、設于所述柵極絕緣層上并與所述有源層的兩端接觸的源極和漏極、設于所述柵極絕緣層上并與所述漏極接觸的第一電極、覆蓋所述源極、漏極、第一電極、及柵極絕緣層的像素定義層、設于所述第一電極上的像素定義層中的像素定義槽、設于所述像素定義槽內自下而上依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和電子注入層、設于所述像素定義層上并與所述電子注入層接觸的第二電極、以及設于所述第二電極上的封裝層。

所述第一電極為反射電極，所述第二電極為透明電極。

所述量子點發光層包括有機溶劑材料和分散在所述有機溶劑材料中的量子點材料，所述量子點材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、InAs和InP中的一種或多種。

所述源極、漏極及第一電極的材料為鉬、鐵及鋁中的一種或多種的組合，所述第二電極的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。

一種QLED顯示面板的像素定義層模塊，包括像素定義槽、設于像素定義槽內自下而上依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和電子注入層。

一種QLED顯示面板的像素定義層模塊的制造工藝，步驟如下：

1)、結構及分別加工

像素定義層模塊，包括像素定義槽、設于像素定義槽內自下而上依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和電子注入層；

依現有技術制造每層，然后按照疊合次序依次復合；

2)、預處理

復合后對其外表面噴涂預處理液，噴涂結束利用鼓風干燥機干燥；

預處理液的組分為：活性炭5份、防沉淀劑3.3份、水15份、高氯化聚乙烯樹脂10份、血根堿0.5份；

3)、后續處理

將預處理后的像素定義層模塊置于密閉容器中，抽真空保持24小時以上，然后恢復常壓再取出。

本發明所具有的優點與效果是：

1)、本發明的一種QLED顯示面板，包括：基板、覆蓋所述基板的緩沖層、設于所述緩沖層上的柵極、覆蓋所述柵極和緩沖層的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的有源層、設于所述柵極絕緣層上并與所述有源層的兩端接觸的源極和漏極、設于所述柵極絕緣層上并與所述漏極接觸的第一電極、覆蓋所述源極、漏極、第一電極、及柵極絕緣層的像素定義層、設于所述第一電極上的像素定義層中的像素定義槽、設于所述像素定義槽內自下而上依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和電子注入層、設于所述像素定義層上并與所述電子注入層接觸的第二電極、以及設于所述第二電極上的封裝層，通過將源漏極與QLED的第一電極同層設置，能夠減少連接過孔數量，避免因過孔引起的顯示不良，提升產品穩定性，降低生產成本，提升產品競爭力。

2)、本發明的一種QLED顯示面板的像素定義層模塊及其制造工藝，通過合理設計加工工藝使其使用壽命得到顯著延長，產品品質更優。

附圖說明

下面結合附圖對本發明作進一步詳述：

圖1為本發明的一種QLED顯示面板的結構圖；

圖中：基板1、緩沖層2、柵極3、柵極絕緣層4、有源層5、源極6、漏極7、第一電極8、像素定義層12、像素定義槽121、空穴注入層91、空穴傳輸層92、量子點發光層93、電子傳輸層94、電子注入層95、第二電極10、封裝層11。

具體實施方式

實施例1