[發(fā)明專利]具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710835481.1 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN107833903B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 葛特鄂孟;保羅·約翰·舒勒;佐佐木健司;李宗霑 | 申請(專利權(quán))人: | 伊樂視有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 薛曉偉;汪飛亞 |
| 地址: | 美國華盛頓州(郵編986*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有光 管理 系統(tǒng) 發(fā)光 顯示器 | ||
提供一種用于制造具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示基板的方法。所述方法提供具有頂表面的透明第一基板,且形成多個發(fā)光元件井。所述井側(cè)壁由光吸收材料或者光反射材料形成。在一方面,光阻擋材料膜層被形成為覆蓋所述第一基板的頂表面,所述發(fā)光元件的側(cè)壁形成于光阻擋材料膜層。在另一方面,透明第二基板被形成為覆蓋所述第一基板的頂表面。然后,所述發(fā)光元件的井形成于所述第二基板且具有通道表面,所述光阻擋材料被沉積為覆蓋所述井通道表面。另外,所述光阻擋材料可以形成于每一個井的底面。具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示基板被提供如下。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總體涉及發(fā)光顯示器,尤其涉及用于使用微型發(fā)光元件的發(fā)光顯示器的光管理系統(tǒng)。
背景技術(shù)
紅-綠-藍(lán)(RGB)顯示器可以由微型發(fā)光元件形成,比如微型發(fā)光二極管(μLED)。這樣的顯示器可以被使用于電視、電腦顯示器或者手持設(shè)備。微型發(fā)光元件可以具有小于100微米的直徑或者橫截面。所述發(fā)光元件以某種方式對齊至像素陣列。在發(fā)光元件的放置之后的傳統(tǒng)的處理和集成步驟包括金屬化以連接所述發(fā)光元件至控制線矩陣。
如果顯示器的制造是使用流體組裝工藝,所述顯示基板形成有井的陣列用以捕捉所述發(fā)光元件。通常,所述發(fā)光基板由諸如玻璃的透明材料制成。結(jié)果,光可能通過相鄰的井之間的透明基板泄露傳播,其降低顏色的質(zhì)量和對比度。
如果從每一個發(fā)光基板的井中發(fā)出的光可以被控制,以使來自井中的發(fā)光元件的光僅指向透明基板的頂表面,并且防止傳播至相鄰的井,這將會是有利的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所述為采用直接發(fā)光的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)特征,比如微型發(fā)光二極管(uLED),其可以控制發(fā)光的方向性。發(fā)光顯示器可以由多個uLED像素組成;每一個單獨尋址。重要的是,由每一個uLED發(fā)出的光的方向被控制,以減少像素之間的光泄露從而確保顏色的質(zhì)量和對比度。來自每一個uLED的光是從包括正面和側(cè)面的所有的表面被發(fā)出,因此是在垂直和平行于所述顯示基板的表面的方向上被發(fā)出。除非被控制,否則沿著名義上平行于透明顯示基板表面的方向發(fā)出的光將傳播到相鄰像素。本文所描述的結(jié)構(gòu)特征被用于反射或者吸收所述光。反射材料可以包括已經(jīng)結(jié)合于背板制造中的金屬,包括鋁、鈦、銀、錫、銦、鎳、金或其它反射性金屬。吸收材料可以包括黑色聚合物樹脂和含有炭黑或者石墨烯氧化物的黑色光阻材料。
相應(yīng)地,一種用于制造具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示基板的方法被提供。所述方法提供具有頂表面的透明第一基板,和形成多個發(fā)光元件的井。井的側(cè)壁由光阻擋材料形成。在最簡單的情況下,所述井形成于所述第一基板。如上所提及的,所述光阻擋材料可以是光吸收材料或者光反射材料。在一個方面,光阻擋材料膜層被形成為覆蓋所述第一基板的頂表面,且所述發(fā)光元件的側(cè)壁被形成于所述光阻擋材料膜層。
在另一個方面,透明第二基板被形成為覆蓋所述第一基板的頂表面。然后,所述發(fā)光元件的井具有通道表面被形成于所述第二基板,且所述光阻擋材料被沉積為覆蓋所述井的通道表面。另外,所述光阻擋材料可以形成于每一個井的底面。如果所述第一基板包括形成于所述頂表面的電接口,形成于所述第二基板的所述發(fā)光元件的井被蝕刻以暴露形成于每一個井的底面的電接口。然后,在所述井的底面上的光阻擋材料被圖案化以避開形成于所述井的底表面上的所述電接口。
在另一個方面,在沉積所述光阻擋材料之前,流體組裝工藝被使用以用發(fā)光元件填充所述井。需要說明的是,所述井可以使用拾取-放置工藝而被填充,其本質(zhì)上更耗時。然后,所述井的側(cè)壁的光阻擋材料通過共形地沉積所述光吸收阻擋材料覆蓋所述第二基板的頂表面和填充所述井,并蝕刻所述光吸收阻擋材料以暴露所述發(fā)光元件的方式被形成。
下面將提供上述方法和具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示基板的附加細(xì)節(jié)。
附圖說明
圖1是具有光管理系統(tǒng)的發(fā)光顯示基板的局部橫截面圖。
圖2是描繪第一變更實施例的光管理系統(tǒng)的局部橫截剖面圖。
圖3是描繪第二變更實施例的光管理系統(tǒng)的局部橫截剖面圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





