[發明專利]一種基于阻抗技術的小阮共鳴箱的聲學評價方法及實驗裝置

在審

• 申請號: 201710833685.1
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107436181A
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 張軍;張澤宇;湯紅梅;李憲華;黎俊楠;趙義;袁翔;陸俊峰;王古超;張繼明
• 申請（專利權）人: 安徽理工大學
• 主分類號: G01H11/08
• 分類號: G01H11/08;G01N29/09;G10D3/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于阻抗技術的小阮共鳴箱的聲學評價方法，所述方法使用的實驗裝置包括，阻抗分析儀(1)、小阮共鳴箱(2)、第一壓電傳感器(3)、第二壓電傳感器(4)、第三壓電傳感器(5)、第四壓電傳感器(6)、電腦及其軟件處理系統(8)，所述第一壓電傳感器(3)包括第一基座(9)、第一壓電陶瓷片(13)，所述第二壓電傳感器(4)包括第二基座(10)、第二壓電陶瓷片(14)，所述第三壓電傳感器(5)包括第三基座(11)、第三壓電陶瓷片(15)，所述第四壓電傳感器(6)包括第四基座(12)、第四壓電陶瓷片(16)；其特征在于：所述第一壓電陶瓷片(13)的負極面通過導電銀膠粘貼在第一基座(9)上，所述第二壓電陶瓷片(14)的負極面通過導電銀膠粘貼在第二基座(10)上，所述第三壓電陶瓷片(15)的負極面通過導電銀膠粘貼在第三基座(11)上，所述第四壓電陶瓷片(16)的負極面通過導電銀膠粘貼在第四基座(12)上；在小阮共鳴箱(2)背面的中音一區上選取第一關鍵部位(20)，在小阮共鳴箱(2)背面的中音二區上選取第二關鍵部位(21)，在小阮共鳴箱(2)背面的高音一區上選取第三關鍵部位(22)，在小阮共鳴箱(2)背面的高音二區上選取第四關鍵部位(23)，將所述第一壓電傳感器(3)，第二壓電傳感器(4)，第三壓電傳感器(5)，第四壓電傳感器(6)分別通過改性低熔點高硬度石蠟粘貼在第一關鍵部位(20)、第二關鍵部位(21)、第三關鍵部位(22)、第四關鍵部位(23)上；所述第一基座(9)與小阮共鳴箱(2)的第一關鍵部位(20)接觸部分的曲率相同；第二基座(10)與小阮共鳴箱(2)的第二關鍵部位(21)接觸部分的曲率相同；第三基座(11)與小阮共鳴箱(2)的第三關鍵部位(22)接觸部分的曲率相同；第四基座(12)與小阮共鳴箱(2)的第四關鍵部位(23)接觸部分的曲率相同；所述第一壓電陶瓷片(13)、第二壓電陶瓷片(14)、第三壓電陶瓷片(15)、第四壓電陶瓷片(16)為圓形壓電陶瓷片。

2.根據權利要求1所述一種基于阻抗技術的小阮共鳴箱的聲學評價方法，其特征在于：所述小阮共鳴箱的聲學評實驗步驟包括，

1)所述阻抗分析儀(1)先與第一壓電傳感器(3)電性連接，在392Hz-493.9Hz范圍內，通過阻抗分析儀(1)的掃頻，測出小阮共鳴箱(2)與測試頻率對應的阻抗值，同時將掃頻數據保存到電腦及其軟件處理系統(8)中進行數據圖像處理；

2)所述阻抗分析儀(1)先斷開與第一壓電傳感器(3)電性連接，再將阻抗分析儀(1)與第二壓電傳感器(4)電性連接，在493.9Hz-987.8Hz范圍內，通過阻抗分析儀(1)的掃頻，測出小阮共鳴箱(2)與測試頻率對應的阻抗值，同時將掃頻數據保存到電腦及其軟件處理系統(8)中進行數據圖像處理；

3)將所述阻抗分析儀(1)與第二壓電傳感器(4)的電性連接斷開，將阻抗分析儀(1)與第三壓電傳感器(5)電性連接，在987.8Hz-1975.5Hz范圍內，通過阻抗分析儀(1)的掃頻，測出小阮共鳴箱(2)與測試頻率對應的阻抗值，同時將掃頻數據保存到電腦及其軟件處理系統(8)中進行數據圖像處理；

4)將所述阻抗分析儀(1)與第三壓電傳感器(5)的電性連接斷開，將阻抗分析儀(1)與第四壓電傳感器(6)電性連接，在1975.5Hz-4698.6Hz范圍內，通過阻抗分析儀(1)的掃頻，測出小阮共鳴箱(2)與測試頻率對應的阻抗值，同時將掃頻數據保存到電腦及其軟件處理系統(8)中進行數據圖像處理。