[發(fā)明專利]采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法

在審

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• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN107452842A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李虞鋒;王帥;云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司61200
• 代理人: 閔岳峰

1.采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，在垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED器件未剝離的藍(lán)寶石襯底表面沉積減反膜，用于降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED器件的激光剝離能量閾值；

其中，減反膜是單層膜，或者是多層膜，多層膜是折射率漸變式多層薄膜，高低折射率交替的非周期性多層膜或者高低折射率交替的周期性多層膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

1)采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的方法，在藍(lán)寶石襯底上依次生長低溫AlN緩沖層、不摻雜AlGaN層、N型摻Si的AlGaN層、多量子阱AlGaN/AlGaN層、P型摻Mg的AlGaN層和P型摻Mg的GaN層，形成AlGaN深紫外外延片；

2)將所述AlGaN深紫外外延片通過光刻膠掩膜干法刻蝕形成臺面；

3)在AlGaN深紫外外延片臺面的P型上表面依次蒸鍍歐姆接觸層、反光層和鍵合層；

4)通過金屬鍵合工藝將上述AlGaN深紫外外延片翻轉(zhuǎn)粘合到導(dǎo)電、導(dǎo)熱襯底上；

5)在藍(lán)寶石襯底表面沉積減反膜；

6)準(zhǔn)分子激光從藍(lán)寶石襯底表面輻照上述AlGaN深紫外外延片，進(jìn)而剝離掉藍(lán)寶石襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟1)中，多量子阱AlGaN/AlGaN層的發(fā)光波長為200nm-280nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟2)中，AlGaN深紫外外延片臺面的刻蝕深度為6μm-30μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟5)中，沉積薄膜的材料為MgF₂、LaF₃和SiO₂中的一種或者多種的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟5)中，沉積薄膜是單層膜時(shí)，所使用介質(zhì)材料對準(zhǔn)分子激光的吸收損耗不高于1％，其折射率介于空氣與藍(lán)寶石之間，取1～1.83，沉積薄膜的厚度為d＝(m+1)λ/4n，其中，n為所沉積材料的折射率，λ為剝離時(shí)所使用激光的波長，m為4的整數(shù)倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟5)中，所使用介質(zhì)材料對準(zhǔn)分子激光的吸收損耗不高于1％。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用減反膜降低垂直結(jié)構(gòu)深紫外LED激光剝離能量閾值的方法，其特征在于，步驟6)中，所使用準(zhǔn)分子激光波長為193nm。