[發(fā)明專利]用每單元分?jǐn)?shù)比特低延遲讀取快閃存儲(chǔ)設(shè)備的方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710832459.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN108231119B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Z.Z.班迪克;秦明海;宋承桓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號(hào): G11C16/10
• 分類號(hào): G11C16/10;G11C16/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 萬(wàn)里晴

1.一種操作固態(tài)驅(qū)動(dòng)器的方法，所述方法包括：

將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在被配置為將信息存儲(chǔ)在多個(gè)頁(yè)中的多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元中，其中所述NVM單元中的每一個(gè)可編程為用于表示分?jǐn)?shù)數(shù)量個(gè)比特的L個(gè)編程狀態(tài)中的一個(gè)；以及

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加M個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第一頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第一部分，其中所述M個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加N個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第二頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第二部分，

其中所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量，并且所述M個(gè)讀取電壓的數(shù)量和所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量是不同的。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)的第一部分對(duì)應(yīng)于第一文件，并且所述數(shù)據(jù)的第二部分對(duì)應(yīng)于與所述第一文件不同的第二文件。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括：

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加O個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第三頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第三部分，

其中所述O個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于所述L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量，并且所述M個(gè)讀取電壓的數(shù)量、所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量、和所述O個(gè)讀取電壓的數(shù)量中的至少兩個(gè)是不同的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加N個(gè)數(shù)量的平均個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的各個(gè)頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的不同部分，其中所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于所述L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)包括：

將所述數(shù)據(jù)的第一部分存儲(chǔ)在所述第一頁(yè)中；以及

將所述數(shù)據(jù)的第二部分存儲(chǔ)在所述多個(gè)頁(yè)中的第二頁(yè)中，其中所述第一頁(yè)被配置為存儲(chǔ)比所述第二頁(yè)更大量的不同值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加N個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第二頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第二部分，

其中所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于所述L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量，并且

其中所述第一頁(yè)的讀取電壓的數(shù)量與所述第二頁(yè)的讀取電壓的數(shù)量不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)NVM單元包括NAND快閃存儲(chǔ)器單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)包括將所述數(shù)據(jù)的第一部分存儲(chǔ)在被映射到多個(gè)第一值的所述第一頁(yè)的區(qū)域中。

10.一種固態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，包括：

控制器；以及

多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)單元，其被可操作地耦合到所述控制器，

其中所述控制器被配置為：

將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在被配置為將信息存儲(chǔ)在多個(gè)頁(yè)中的所述多個(gè)NVM單元中，其中所述NVM單元中的每一個(gè)可編程為用于表示分?jǐn)?shù)數(shù)量個(gè)比特的L個(gè)編程狀態(tài)中的一個(gè)；以及

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加M個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第一頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第一部分，其中所述M個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器被配置為：

通過(guò)對(duì)所述多個(gè)NVM單元施加N個(gè)讀取電壓來(lái)從所述多個(gè)頁(yè)中的第二頁(yè)讀取所述數(shù)據(jù)的第二部分，

其中所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量少于L-1個(gè)編程狀態(tài)的數(shù)量，并且所述M個(gè)讀取電壓的數(shù)量和所述N個(gè)讀取電壓的數(shù)量是不同的。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的固態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器還被配置為：

將所述數(shù)據(jù)的第一部分存儲(chǔ)到所述NVM單元的第一頁(yè)；以及

將所述數(shù)據(jù)的第二部分存儲(chǔ)到所述NVM單元的第二頁(yè)，

其中所述第一頁(yè)被配置為存儲(chǔ)比所述第二頁(yè)更大量的不同值。