[發(fā)明專利]一種基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710832322.6 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN107747900B | 公開(公告)日: | 2020-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉志平;柯亮 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號: | G01B7/00 | 分類號: | G01B7/00;G01B7/16;G01B7/02 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 許美紅 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 二元 天線 陣列 應(yīng)變 裂紋 測量 裝置 方法 | ||
1.一種基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置,其特征在于,該裝置包括補(bǔ)償天線(1)、測量天線(2)和無線問詢裝置(3),補(bǔ)償天線(1)和測量天線(2)是兩個(gè)結(jié)構(gòu)和尺寸均不相同的矩形貼片天線,補(bǔ)償天線(1)和測量天線(2)分別粘貼在待測結(jié)構(gòu)表面上;補(bǔ)償天線(1)和測量天線(2)均為諧振腔結(jié)構(gòu),無線問詢裝置(3)分別向補(bǔ)償天線(1)和測量天線(2)發(fā)射掃頻電磁波,根據(jù)反射回來的信號分別獲得其諧振頻率,進(jìn)而根據(jù)諧振頻率解耦測量得到粘貼測量天線(2)處的應(yīng)變大小和貼片下方的裂紋特征;
補(bǔ)償天線(1)包括輻射貼片、基質(zhì)和接地板,基質(zhì)設(shè)置在輻射貼片和接地板之間,通過強(qiáng)力膠水將接地板下方粘貼到待測結(jié)構(gòu)表面;
測量天線(2)包括輻射貼片和基質(zhì),通過強(qiáng)力膠水將基質(zhì)下方粘貼到待測結(jié)構(gòu)表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置,其特征在于,補(bǔ)償天線(1)的基質(zhì)的材料為FR4,輻射貼片和接地板的材料為銅,采用印刷電路板工藝將銅沉積到FR4基質(zhì)的上下表面制作而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置,其特征在于,測量天線(2)的基質(zhì)的材料為FR4,輻射天線的材料為銅,采用印刷電路板工藝將銅沉積到FR4基質(zhì)的上表面制作而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置,其特征在于,無線問詢裝置(3)包括號角天線、射頻環(huán)行器、網(wǎng)絡(luò)分析儀和數(shù)據(jù)處理模塊,用于訪問補(bǔ)償天線和測量天線并獲取二者的實(shí)時(shí)諧振頻率。
5.一種采用權(quán)利要求1的基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置的測量方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、在待檢測的結(jié)構(gòu)表面,將補(bǔ)償天線和測量天線分別粘貼在待測結(jié)構(gòu)表面上,分別記錄補(bǔ)償天線和測量天線的初始諧振頻率;
S2、無線問詢裝置實(shí)時(shí)向補(bǔ)償天線和測量天線發(fā)射掃頻電磁波,根據(jù)反射回來的信號分別獲取其諧振頻率;
S3、當(dāng)待測結(jié)構(gòu)表面發(fā)生裂紋時(shí),補(bǔ)償天線的接地板隔離了待測結(jié)構(gòu)表面裂紋對其諧振頻率的影響,僅感知應(yīng)變,測量天線感知應(yīng)變和裂紋綜合信息;根據(jù)補(bǔ)償天線和測量天線的實(shí)時(shí)諧振頻率,結(jié)合其初始諧振頻率,實(shí)現(xiàn)應(yīng)變和裂紋信息的解耦測量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于二元貼片天線陣列的應(yīng)變與裂紋解耦測量裝置的測量方法,其特征在于,步驟S3中計(jì)算應(yīng)變和裂紋信息的方法為:
若測量天線下方存在垂直于其工作方向的裂紋:
獲得補(bǔ)償天線和測量天線的實(shí)時(shí)諧振頻率fA和fB后,根據(jù)以下公式計(jì)算應(yīng)變大小ε:
其中,補(bǔ)償天線的初始諧振頻率為f0A,補(bǔ)償天線的應(yīng)變靈敏度為sAε;
進(jìn)而分離出裂紋引起的諧振頻率變化為:
其中,測量天線的初始諧振頻率為f0B,測量天線的應(yīng)變靈敏度為sBε。
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