[發明專利]半導體裝置和電子裝置

有效

• 申請號: 201710831804.X
• 申請日: 2013-06-04
• 公開（公告）號: CN107644807B
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 申東石;金明宣;南性真;樸判貴;鄭會晟;李來寅
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/11;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/45;H01L29/51;H01L29/66;H01L29/78;H0
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;薛義丹

1.一種半導體裝置，包括：

有源區域，限定在基底上；

柵電極，位于有源區域上；

輕摻雜漏極，在有源區域中并與柵電極相鄰；

溝槽，在有源區域中、與柵電極相鄰、并設置在輕摻雜漏極的外部處；

應變誘導圖案，位于溝槽中，

其中，有源區域包括：

上表面；

第一側表面，面對應變誘導圖案并位于上表面下方；

第二側表面，面對應變誘導圖案并位于第一側表面下方；

第一邊緣，設置在上表面和第一側表面之間；

第二邊緣，位于第一側表面和第二側表面之間，

其中，相對于垂直于基底并橫過柵電極的側表面的垂直線，第二邊緣比第一邊緣更加靠近，

其中，第二邊緣形成在輕摻雜漏極的表面上，

其中：

應變誘導圖案包括第一半導體層、位于第一半導體層上的第二半導體層和位于第二半導體層上的第三半導體層，并且突出在比第一邊緣高的水平位置處；

有源區域包括n型雜質；

輕摻雜漏極包括p型雜質；

第一半導體層包括濃度比輕摻雜漏極的濃度高的p型雜質；

第二半導體層包括濃度比第一半導體層的濃度高的p型雜質。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

第一分隔件，位于柵電極的側表面上；

第二分隔件，位于第一分隔件上，

其中，第一分隔件與輕摻雜漏極直接接觸。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，第二分隔件與輕摻雜漏極和應變誘導圖案直接接觸。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中：

應變誘導圖案包括：

第一表面，連接到第一邊緣并且具有與有源區域的第一側表面的斜率不同的斜率；

第二表面，連接到第一表面并且具有與第一表面的斜率不同的斜率；

第三表面，連接到第二表面并且形成在應變誘導圖案的上端處，

第二分隔件與輕摻雜漏極、第一邊緣、第一表面、第二表面和第三表面直接接觸。

5.如權利要求4所述的半導體裝置，其中，在穿過第一邊緣的水平線和應變誘導圖案的第一表面之間的交叉角小于在該水平線和有源區域的第一側表面之間的交叉角。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括暈環，所述暈環形成在有源區域內，并且具有與輕摻雜漏極的導電性雜質不同的導電性雜質，其中，

暈環覆蓋輕摻雜漏極的側表面和下端，

第一側表面形成在輕摻雜漏極的表面上，并且第二側表面形成在輕摻雜漏極和暈環的表面上。

7.一種電子裝置，包括：

母板；

半導體基底，安裝在母板上；

有源區域，限定在半導體基底上；

柵電極，設置在有源區域上；

輕摻雜漏極，形成在有源區域內并與柵電極相鄰；

溝槽，形成在有源區域內、與柵電極相鄰、并設置在輕摻雜漏極的外部處；

應變誘導圖案，位于溝槽中，

其中，有源區域包括：

上表面；

第一側表面，面對應變誘導圖案并位于上表面下方；

第二側表面，面對應變誘導圖案并位于第一側表面下方；

第一邊緣，位于上表面和第一側表面之間；

第二邊緣，位于第一側表面和第二側表面之間，

其中，相對于垂直于基底并經過柵電極的側表面的垂直線，第二邊緣比第一邊緣更加靠近，

其中，第二邊緣形成在輕摻雜漏極的表面上，

其中：

應變誘導圖案包括第一半導體層、位于第一半導體層上的第二半導體層和位于第二半導體層上的第三半導體層，并且突出在比第一邊緣高的水平位置處；

有源區域包括n型雜質；

輕摻雜漏極包括p型雜質；

第一半導體層包括濃度比輕摻雜漏極的濃度高的p型雜質；

第二半導體層包括濃度比第一半導體層的濃度高的p型雜質。