[發(fā)明專利]MOM電容、MOM電容陣列及MOM電容陣列的布局和走線方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710831547.X
• 申請(qǐng)日: 2017-09-15
• 公開（公告）號(hào): CN107633128A
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙長(zhǎng)猛;趙喆;劉寅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京華大九天軟件有限公司
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11467
• 代理人: 王金雙

1.一種MOM電容，其特征在于，包括：中間金屬層和上下屏蔽層，其中，

所述中間金屬層由插指形式的上極板和下極板構(gòu)成，所述下極板包圍所述上極板；

所述上下屏蔽層采用整片結(jié)構(gòu)；

所述上下屏蔽層和所述中間金屬層層疊在一起，通過通孔進(jìn)行連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOM電容，其特征在于，

所述上極板，由多個(gè)指狀排列具有預(yù)設(shè)間距的金屬線條通過頂端相連于上端金屬線條構(gòu)成；

所述下極板，由多個(gè)指狀排列具有預(yù)設(shè)間距的金屬線條通過底端相連于下端金屬線條構(gòu)成；

所述上極板、所述下極板的指狀排列的具有預(yù)設(shè)間距的金屬線條的底端、頂端相對(duì)插入對(duì)方金屬線條的預(yù)設(shè)間距之中；

所述下極板最外圍的金屬線條包圍所述上極板左右兩側(cè)最外側(cè)的金屬線條和上端金屬線條，并留有引出開口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOM電容，其特征在于，

所述中間金屬層由多層金屬層由下自上依次層疊構(gòu)成，其中，最上層的金屬層做上極板的引出端頭并直接作為電容的連出端頭。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOM電容，其特征在于，

所述最上層的金屬層的上極板中間的金屬線條上下串通上極板的上端金屬線條并穿過下極板的引出開口，作為上極板的引出端頭。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOM電容，其特征在于，

所述中間金屬層為多個(gè)且完全重疊在一起，通過對(duì)上極板的上端金屬線條、下極板最外圍的金屬線條分別做通孔進(jìn)行連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOM電容，其特征在于，

所述上下屏蔽層僅與所述中間金屬層的下極板最外圍的金屬線條做通孔進(jìn)行連接。

7.一種MOM電容陣列的布局和布線方法，采用權(quán)利要求1所述的MOM電容作為單位電容，其特征在于，包括以下步驟：

（1）以上極板和上極板左右兩側(cè)的下極板為內(nèi)部走線，構(gòu)成中間金屬層，以采用整片結(jié)構(gòu)金屬作為上下屏蔽層，確定單位電容；

（2）確定電容陣列的位電容和單位電容的容值，以及每一位位電容含有的單位電容的數(shù)量，并根據(jù)最高位的位電容含有的單位電容的數(shù)量，確定最高位的位電容的行數(shù)和列數(shù)；

（3）對(duì)電容陣列的位電容及位電容的單位電容進(jìn)行布局；

（4）對(duì)電容陣列進(jìn)行走線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，

確定最高位的位電容的行數(shù)的公式為：Nr=（2Cn）^0.5，

其中，Nr為最高位的位電容的行數(shù)，Cn為最高位的位電容與單位電容的容值的倍數(shù)；

確定最高位的位電容的列數(shù)的公式為：Nc=Cn/Nr，

其中，Nc為最高位的位電容的列數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，所述步驟（3）包括以下步驟：

根據(jù)每一位位電容含有的單位電容的數(shù)量，并按照一個(gè)高位的位電容占用多列、多個(gè)低位的位電容占用一列的列排布的原則，對(duì)電容陣列的位電容及位電容的單位電容進(jìn)行布局。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，電容陣列中剩余的空位以及電容陣列的四周采用虛擬電容進(jìn)行占位，所述虛擬電容的中間金屬層的中部以及左、右兩側(cè)留有走線通道。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，所述步驟（4）包括以下步驟：

位于同一列的單位電容的上極板的走線相連接，并與上極板總線相連；每一位位電容中位于同一列的單位電容的下極板的走線相連接，并與下極板總線相連。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，當(dāng)某一走線通道中具有多個(gè)下極板的走線時(shí)，多個(gè)下極板的走線均勻分布在走線通道上。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOM電容陣列的布局和布線方法，其特征在于，單位電容的下端金屬線條處加一塊屏蔽金屬層，并把屏蔽金屬層接到單位電容的下極板電位上。