[發明專利]一種微波功率管封裝外殼、制作方法及冷卻系統有效
| 申請號: | 201710828792.5 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107481983B | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發明(設計)人: | 闞云輝 | 申請(專利權)人: | 蘇州中航天成電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/473 | 分類號: | H01L23/473;H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京酷愛智慧知識產權代理有限公司 11514 | 代理人: | 安娜 |
| 地址: | 215131 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微波 功率管 封裝 外殼 制作方法 冷卻系統 | ||
1.一種微波功率管封裝外殼,其特征在于,包括底板(1),所述底板(1)內部設置有冷卻液流過的若干組微流道(2),所述底板(1)設置有與所述微流道(2)連通的進液口(3)和出液口(4);
所述底板(1)包括若干層疊壓的微流道底板,其中中部微流道底板通過刻蝕或沖壓,共同構成冷卻液依次流過的若干個進液流道(5)、微流道(2)和出液流道(6);
其中進液流道一端與所述底板(1)的進液口(3)連接,進液流道另一端與所述微流道(2)的進液口連接,所述微流道(2)的出液口與所述出液流道的一端連接,該出液流道與所述底板(1)的出液口(4)連接;
所述底板(1)的安裝面上焊接有若干個位于所述微流道(2)上方用于安裝功率管的環框(7),所述環框(7)設置有若干個射頻饋通端子或低頻饋通端子,在環框(7)內設置好功率管后,環框(7)的頂部采用蓋板封裝;
還包括安裝在所述底板(1)安裝面的接口裝置(8),該接口裝置(8)用于將所述進液口(3)和出液口(4)與液冷循環系統連接。
2.根據權利要求1所述的微波功率管封裝外殼,其特征在于,所述底板(1)由五層疊壓的微流道底板高溫焊接而成;
其中中部三層微流道底板中的任意一層或相鄰兩層之間通過刻蝕或沖壓形成進液流道(5)和出液流道(6);
中部三層微流道底板中的任意一層、相鄰兩層或三層,形成冷卻液流過的若干組微流道(2),單個微流道(2)的橫截面積小于等于1mm2,每組微流道(2)中單個微流道(2)的數目大于5個。
3.據權利要求1項權利要求所述的微波功率管封裝外殼,其特征在于,所述底板厚度為1.2-3.0mm。
4.一種如權利要求1-3任一項所述的微波功率管封裝外殼的制作方法,其特征在于,
選用三層以上微流道底板,對用作中部的微流道底板進行刻蝕或沖壓,用作底板(1)安裝面的上層微流道底板上開設進液口(3)和出液口(4);
刻蝕或沖壓完成后,微流道底板依次順序疊壓,并高溫焊接,中部的微流道底板形成冷卻液依次流過的若干個進液流道、微流道(2)和出液流道;其中進液流道一端與上層微流道底板的進液口(3)連接,一端與微流道(2)的進液口連接,所述微流道(2)的出液口與出液流道的一端連接,該出液流道與上層微流道底板的出液口(4)連接;
在靠近所述微流道(2)的上層微流道底板表面高溫焊接射頻饋通端子或低頻饋通端子,以及環框(7),最終形成封裝外殼的底板。
5.根據權利要求4所述的微波功率管封裝外殼的制作方法,其特征在于,還包括封裝的步驟;
在環框(7)內安裝功率管,安裝完成后在環框(7)的頂部開口處焊接用于將所述功率管封裝的蓋板。
6.根據權利要求5所述的微波功率管封裝外殼的制作方法,其特征在于,所述底板(1)由五層疊壓的微流道底板高溫焊接而成;中部三層微流道底板中的任意一層或相鄰兩層之間通過刻蝕或沖壓形成進液流道和出液流道;中部三層微流道底板中的任意一層、相鄰兩層或三層,形成冷卻液流過的若干組微流道(2),單個微流道(2)的橫截面積小于等于1mm2,每組微流道(2)中單個微流道(2)的數目大于5個。
7.根據權利要求6所述的微波功率管封裝外殼的制作方法,其特征在于,所述環框(7)采用平行縫焊或激光焊接在所述環框(7)的上部。
8.一種冷卻系統,其特征在于,采用如權利要求1-3任一項所述的微波功率管封裝外殼,該微波功率管封裝外殼的進液口(3)和出液口(4)與液冷循環系統連接,冷卻液采用乙二醇流體或蒸餾水。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州中航天成電子科技有限公司,未經蘇州中航天成電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710828792.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:AlN基板高效散熱HEMT器件及其制備方法
- 下一篇:芯片封裝結構





