[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201710828660.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN108630678B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 林立凡;彭柏瑾
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導體裝置，包含：

一基板；

一功率元件，置于該基板上，該功率元件包含一漏極電極、一源極電極與一柵極電極；

一保護電路，置于該基板上，且具有一與該功率元件的該源級電極電性連接的第一端與一與該功率元件的該柵極電極電性連接的第二端，其中該保護電路包含：一保護主動元件，具有一源極電極、一漏極電極與一柵極電極，該保護主動元件的該源極電極電性連接至該保護電路的該第一端，且該保護主動元件的該漏極電極電性連接至該保護電路的該第二端；

一介電層，置于該功率元件與該保護電路上；

一漏極墊，置于該介電層上且電性連接至該功率元件的該漏極電極；

一源極墊，置于該介電層上且電性連接至該功率元件的該源極電極以及該保護電路的該第一端；以及

一柵極墊，置于該介電層上且電性連接至該功率元件的該柵極電極以及該保護電路的該第二端，其中至少部分的該保護電路置于該源極墊、該柵極墊或該漏極墊下。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含一第一保護電路墊，置于該介電層上，其中該第一保護電路墊電性連接該第一端且被該源極墊環繞。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中該第一保護電路墊通過一電線連接至該源極墊。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含一第二保護電路墊，置于該介電層上，其中該第二保護電路墊電性連接該第二端且被該源極墊環繞。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含：

一第一保護電路墊，置于該介電層上，且電性連接該保護電路的該第一端；以及

一第二保護電路墊，置于該介電層上，且電性連接該保護電路的該第二端，其中至少部分的該源極墊置于該第一保護電路墊與該第二保護電路墊之間。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該源極墊包含：

一主體部，覆蓋該保護電路；以及

至少一分支部，置于該功率元件的該源極電極上，且連接至該主體部。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其中至少部分的該保護電路置于該源極墊下。

8.如權利要求1所述的半導體裝置，其中至少部分的該保護電路置于該柵極墊下。

9.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該保護電路包含：

一第一電容，電性連接該保護主動元件的該漏極電極與該柵極電極；

一第二電容，電性連接該保護主動元件的該源極電極與該柵極電極；以及

一電阻，電性連接該保護主動元件的該源極電極與該柵極電極。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該第一電容包含：

一下電極，電性連接至該保護主動元件的該柵極電極；以及

一上電極，電性連接至該保護主動元件的該漏極電極。

11.如權利要求10所述的半導體裝置，其中該第一電容的該下電極與該保護主動元件的該柵極電極一體成型。

12.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該第二電容包含：

一下電極，電性連接至該保護主動元件的該柵極電極；以及

一上電極，電性連接至該保護主動元件的該源極電極。

13.如權利要求12所述的半導體裝置，其中該第二電容的該下電極與該保護主動元件的該柵極電極一體成型。

14.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該保護電路包含一第一電路與一第二電路，該第二電路電性連接且鏡像對稱于該第一電路。