[發明專利]基板處理裝置和基板搬送方法有效
| 申請號: | 201710828334.1 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107845588B | 公開(公告)日: | 2021-09-03 |
| 發明(設計)人: | 長久保啟一;佐佐木義明 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 基板搬送 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,具備在搬送室與具有兩個載置臺的處理室之間搬送兩張基板的搬送臂,所述搬送臂將所述兩張基板以在該兩張基板之間隔開間隔地重疊的方式進行保持,所述基板處理裝置的特征在于,具備:
下方基板檢測傳感器,其在下方的所述基板被搬送時,檢測下方的所述基板的緣部上的彼此不同的兩個部位并確定所述兩個部位的位置;以及
上方基板檢測傳感器,其在上方的所述基板被搬送時,檢測上方的所述基板的緣部,其中,所述搬送臂將下方的所述基板在一個所述載置臺與所述搬送室之間搬送,將上方的所述基板在另一個所述載置臺與所述搬送室之間搬送,
所述下方基板檢測傳感器包括具有發光部和受光部的光學式傳感器,
所述發光部和所述受光部中的一方被配置于在下方的所述基板被搬送時下方的所述基板所通過的區域且被配置為位于下方的所述基板與上方的所述基板之間,
所述發光部和所述受光部中的另一方被配置為在下方的所述基板被搬送時隔著下方的所述基板而與所述發光部和所述受光部中的一方相向,
所述上方基板檢測傳感器被配置于在上方的所述基板被搬送時上方的所述基板所通過的區域,
其中,所述發光部和所述受光部中的一方安裝在使所述搬送室的內部與所述處理室的內部連通的連通口內。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述發光部和所述受光部中的一方被配置在減壓環境中。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
還具備測定所述搬送臂的高度的高度傳感器。
4.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述搬送臂經由設置在所述處理室與所述搬送室之間的開口搬送兩張所述基板,所述開口的寬度小于將兩張所述基板水平排列時的兩張所述基板的合計寬度。
5.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述搬送臂使兩張所述基板的每個基板沿著曲線軌道移動。
6.一種基板搬送方法,利用搬送臂來在搬送室與具有兩個載置臺的處理室之間搬送兩張基板,所述基板搬送方法的特征在于,包括以下步驟:
保持步驟,利用所述搬送臂將所述兩張基板以在該兩張基板之間隔開間隔地重疊的方式進行保持;
第一搬送步驟,利用所述搬送臂將下方的所述基板在一個所述載置臺與所述搬送室之間搬送;以及
第二搬送步驟,利用所述搬送臂將上方的所述基板在另一個所述載置臺與所述搬送室之間搬送,
其中,配置用于在所述第一搬送步驟中檢測下方的所述基板的緣部上的彼此不同的兩個部位并確定所述兩個部位的位置的下方基板檢測傳感器以及用于在所述第二搬送步驟中檢測上方的所述基板的緣部的上方基板檢測傳感器,
所述下方基板檢測傳感器包括具有發光部和受光部的光學式傳感器,
所述發光部和所述受光部中的一方被配置于在所述第一搬送步驟中下方的所述基板所通過的區域且被配置為位于下方的所述基板與上方的所述基板之間,
所述發光部和所述受光部中的另一方被配置為在所述第一搬送步驟中隔著下方的所述基板而與所述發光部和所述受光部中的一方相向,
所述上方基板檢測傳感器被配置于在所述第二搬送步驟中上方的所述基板所通過的區域,
其中,所述發光部和所述受光部中的一方安裝在使所述搬送室的內部與所述處理室的內部連通的連通口內。
7.根據權利要求6所述的基板搬送方法,其特征在于,
當所述下方基板檢測傳感器的所述受光部所接收的光量低于閾值時,發出警告或者將上方的所述基板的搬送中斷。
8.根據權利要求6或7所述的基板搬送方法,其特征在于,
當在對下方的所述基板實施熱處理之后下方的所述基板通過下方基板檢測傳感器的發光部與受光部之間時,使下方的所述基板的搬送速度降低。
9.根據權利要求8所述的基板搬送方法,其特征在于,
當在對下方的所述基板實施熱處理之后下方的所述基板通過下方基板檢測傳感器的發光部與受光部之間時,使下方的所述基板暫時停止。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





