[發(fā)明專利]一種低B的稀土磁鐵

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710827815.0
• 申請日: 2014-11-26
• 公開（公告）號: CN107610859A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設計）人: 永田浩;喻榮
• 申請（專利權）人: 廈門鎢業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/32;C22C38/16;C22C38/10
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1.一種低B的稀土磁鐵，所述稀土磁鐵含有R₂T₁₄B主相，其特征在于，包括如下的原料成分：

R：13.5at％～14.5at％、

B：5.2at％～5.8at％、

Cu：0.3at％～0.8at％、

Co：0.3at％～3at％、

以及余量為T和不可避免的雜質，

所述的R為包括Nd的至少一種稀土元素，

所述T為主要包括Fe的元素。

2.根據(jù)權利要求1中所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述T還包括X，X為選自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3種元素，X元素的總組成為0at％～1.0at％；所述不可避免的雜質中，O含量控制在1at％以下、C含量控制在1at％以下以及N含量控制在0.5at％以下。

3.根據(jù)權利要求1或2中所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于，所述稀土磁鐵由如下的步驟制得：將稀土磁鐵成分熔融液制備成稀土磁鐵用合金的工序；將所述稀土磁鐵用合金粗粉碎后再通過微粉碎制成細粉的工序；將所述細粉用磁場成形法獲得成形體，并在真空或惰性氣體中以900℃～1100℃的溫度對所述成形體進行燒結，在晶界中形成高Cu相結晶、中Cu相結晶和低Cu相結晶的工序。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述高Cu相結晶的分子組成為RT₂系相，所述中Cu相結晶的分子組成為R₆T₁₃X系相，所述低Cu相結晶的分子組成為RT₅系相，所述高Cu相結晶和所述中Cu相結晶的總含量占晶界組成的65體積％以上。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述的稀土磁鐵為最大磁能積超過43MGOe的Nd-Fe-B系磁鐵。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：X為選自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3種元素，以上元素的總組成為0.3at％～1.0at％。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述的R中，Dy、Ho、Gd或Tb的含量在1at％以下。

8.根據(jù)權利要求6所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述X包括Ga，Ga的含量為0.1at％～0.2at％。

9.根據(jù)權利要求6所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：所述稀土磁鐵的氧含量在0.6at％以下。

10.一種低B的稀土磁鐵，所述稀土磁鐵含有R₂T₁₄B主相，其特征在于：包括如下的原料成分：

R：13.5at％～14.5at％、

B：5.2at％～5.8at％、

Cu：0.3at％～0.8at％、

Co：0.3at％～3at％、

以及余量為T和不可避免的雜質，

所述的R為包括Nd的至少一種稀土元素，

所述T為主要包括Fe的元素；

并由如下的步驟制得：將所述稀土磁鐵原料成分熔融液制備成稀土磁鐵用合金的工序；將所述稀土磁鐵用合金粗粉碎后再通過微粉碎制成細粉的工序；將所述細粉用磁場成形法獲得成形體，并在真空或惰性氣體中以900℃～1100℃的溫度對所述成形體進行燒結，在晶界中形成高Cu相結晶、中Cu相結晶和低Cu相結晶的工序，和在700℃～1050℃的溫度下進行RH晶界擴散處理的工序。

11.根據(jù)權利要求10所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于：本發(fā)明中所述的RH選自Dy、Ho或Tb中的一種，所述T還包括X，X為選自Al、Si、Ga、Sn、Ge、Ag、Au、Bi、Mn、Cr、P或S中的至少3種元素，X元素的總組成為0at％～1.0at％；所述不可避免的雜質中，O含量控制在1at％以下、C含量控制在1at％以下以及N含量控制在0.5at％以下。

12.根據(jù)權利要求10或11所述的一種低B的稀土磁鐵，其特征在于，還包括時效處理的步驟：對上述經RH晶界擴散處理后的磁體在400℃～650℃的溫度進行時效處理。