[發(fā)明專利]一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710827355.1 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107707203A | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬凱學(xué);胡建全 | 申請(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號: | H03F1/14 | 分類號: | H03F1/14;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/45 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙)51220 | 代理人: | 郭受剛 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 采用 電感 抵消 技術(shù) 寬帶 放大器 電路 | ||
1.一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路,其特征在于,包括有源偏置電路、電感抵消元件、電源VDD及兩個晶體管堆疊的共源-共柵結(jié)構(gòu),所述有源偏置電路與電源VDD連接;所述電感抵消元件包括電感L2和電感L3,所述共源-共柵結(jié)構(gòu)中的兩個晶體管分別為晶體管M1和晶體管M2,所述晶體管M1源極通過電感L2接地,晶體管M1柵極串接電阻R1后輸入柵壓;所述晶體管M2源極與晶體管M1漏極連接,晶體管M2柵極通過電容C2接地,晶體管M2柵極串接電阻R3后輸入柵壓,晶體管M3漏極串接電感L3后與有源偏置電路連接;所述電感L2與電感L3之間通過變壓器進(jìn)行耦合,以抵消電感L2對高頻增益的影響;所述晶體管M1的柵極連接有輸入端口,電感L3與有源偏置電路之間的線路上設(shè)有輸出端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路,其特征在于,還包括反饋電路,所述反饋電路包括電容C1及與電容C1串連的電阻R2,所述反饋電路一端與晶體管M1柵極連接,其另一端連接于電感L3與輸出端口之間的線路上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路,其特征在于,還包括輸入匹配電路,所述輸入匹配電路包括電感L1,所述電感L1串接于晶體管M1柵極與輸入端口之間的線路上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路,其特征在于,所述有源偏置電路包括晶體管M3、電感L4、電阻R4及電容C3,所述晶體管M3源極與電感L3連接,晶體管M3漏極串接電感L4后與電源VDD連接,晶體管M3漏極通過電容C3接地,電阻R4兩端分別與晶體管M3的柵極和漏極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的一種采用電感抵消技術(shù)的超寬帶放大器電路,其特征在于,所述共源-共柵結(jié)構(gòu)中的晶體管為N溝道晶體管、P溝道晶體管、高電子遷移率晶體管及贗高電子遷移率晶體管中的任意一種。
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