[發明專利]一種像素排列結構及其制備方法在審
| 申請號: | 201710827263.3 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107591429A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發明(設計)人: | 徐超 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 排列 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種像素排列結構,其特征在于,所述像素排列結構包括多行和多列呈矩陣排列的多個像素,每一所述像素包括紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素和黃色子像素,其中,所述紅色子像素、所述黃色子像素以及所述綠色子像素并列或并行設置于所述藍色子像素的一側。
2.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述藍色子像素的面積大于所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述黃色子像素的面積。
3.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述藍色子像素的面積等于所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述黃色子像素的面積之和。
4.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述藍色子像素呈橫向排列,所述紅色子像素、所述黃色子像素以及所述綠色子像素并列設置于所述藍色子像素長邊的一側,其中,橫向排列的所述藍色子像素的長度與并列設置的所述紅色子像素、所述黃色子像素、所述綠色子像素的寬度和相等。
5.根據權利要求1所述的像素排列結構,其特征在于,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述藍色子像素和所述黃色子像素的厚度范圍均為10-100nm。
6.根據權利要1所述的像素排列結構,其特征在于,所述紅色子像素、所述黃色子像素和所述綠色子像素之間的面積比為1:1:1。
7.一種像素排列結構的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
提供基板;
在所述基板上形成紅色子像素;
在所述基板上形成綠色子像素,其中所述綠色子像素與所述紅色子像素部分區域重合,重合區域形成黃色子像素;
在所述基板上形成藍色子像素。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述藍色子像素的面積大于所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述黃色子像素的面積。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述藍色子像素呈橫向排列,所述紅色子像素、所述黃色子像素以及所述綠色子像素并列設置于所述藍色子像素長邊的一側,其中,橫向排列的所述藍色子像素的長度與并列設置的所述紅色子像素、所述黃色子像素、所述綠色子像素的寬度和相等。
10.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述藍色子像素、所述黃色子像素均是通過蒸鍍的方式形成,所述藍色子像素的面積等于所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述黃色子像素的面積之和,所述紅色子像素、所述黃色子像素和所述綠色子像素之間的面積比為1:1:1,所述紅色子像素、所述綠色子像素、所述藍色子像素和所述黃色子像素的厚度范圍均為10-100nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





