[發明專利]分布反饋式半導體激光器裝置及光子集成發射芯片模塊

有效

• 申請號: 201710827089.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107565381B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 周亞亭;茆銳;沈玉喬;肖虹
• 申請（專利權）人: 常州工學院
• 主分類號: H01S5/0625
• 分類號: H01S5/0625;H01S5/12
• 代理公司: 32207 南京知識律師事務所
• 代理人: 高桂珍<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：所述裝置的光柵由兩個啁啾光柵通過無光柵的增益區串聯而成，或者是由兩個取樣周期啁啾的取樣光柵通過無光柵的增益區串聯而成；其中第一個啁啾光柵的電極由三個相互電隔離的電極組成，這個光柵中間電極所對應部分為相移調整區，它的兩側電極對應部分為側邊區；第二個啁啾光柵所對應部分是無增益的無源區，或者是由一個或多個電極控制的有源區；通過改變激光器啁啾光柵的側邊區和中間相移調整區電極注入電流比例，引發線性啁啾光柵在不同的光柵周期位置產生激射，進而精細調節激光器的激射波長。

2.根據權利要求1所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：第一個啁啾光柵的兩個側邊區電極通過導線連接在一起，形成同一個側邊區電極。

3.根據權利要求1所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：第一個啁啾光柵的兩個側邊區長度相同。

4.根據權利要求1所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：第二個啁啾光柵與第一個啁啾光柵是完全相同的啁啾光柵，其對應的電極和結構也相同，均由完全相同的兩個側邊區和一個相移調整區組成。

5.根據權利要求4所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：第二個啁啾光柵的兩個側邊區電極，用導線連接在一起，形成同一個側邊區電極。

6.根據權利要求4所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：兩個啁啾光柵的四個側邊區電極，用導線連接在一起形成同一個側邊區電極，兩個啁啾光柵的兩個相移調整區電極，用導線連接在一起形成同一個相移調整區電極。

7.根據權利要求1所述的分布反饋式半導體激光器裝置，其特征在于：相鄰的相移調整區、側邊區、增益區和第二個啁啾光柵的各電極間通過相距一定距離、或者通過注入氦離子、或者通過刻蝕電隔離溝的方式相電隔離。

8.一種分布反饋式半導體激光器單片集成陣列，其特征在于：由權利要求1至7中任意一項所述的分布反饋式半導體激光器裝置構成。

9.一種光子集成發射芯片模塊，其特征在于：由激光監測器陣列、權利要求8所述的分布反饋式半導體激光器單片集成陣列、調制器陣列、功率均衡器陣列和復用器，通過選擇區外延生長或對接生長技術，依次生長集成到同一外延晶片上構成。