[發明專利]一種OLED器件的結構

在審

• 申請號: 201710826900.5
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN109509840A
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發明（設計）人: 李博;李貴芳;錢沖;吳賽飛
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種OLED器件的結構，其特征在于，包括：

依次設置的至少一層空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層；所述空穴傳輸層設置于陽極上，所述電子傳輸層設置于陰極上；

目標空穴傳輸層中具有摻雜材料；所述目標傳輸層為所述至少一層空穴傳輸層中相鄰兩個空穴傳輸層之間勢壘差大于勢壘閾值、且勢壘高的空穴傳輸層；所述摻雜材料的載流子遷移率大于遷移率閾值。

2.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料在所述目標空穴傳輸層中的厚度占比為1％至15％。

3.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料在所述目標空穴傳輸層中的厚度占比為1％至3％。

4.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料為P型有機材料。

5.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料的載流子遷移率大于10^-3cm²/VS。

6.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料的LUMO能級范圍為-5eV∽-5.5eV；HOMO能級范圍為-7eV∽-9eV。

7.如權利要求1所述的結構，其特征在于，所述摻雜材料包括以下內容中的任一項：

2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、7,7,8,8-四氰基對苯二醌二甲烷、吡唑并[2,3-F][1,10]菲啉-2,3-二腈、酞青綠、氧鈦酞菁、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲。

8.如權利要求1至7任一項所述的結構，其特征在于，所述至少一層空穴傳輸層包括第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層；

所述第一空穴傳輸層與所述陽極之間還設置有空穴注入層；所述第一空穴傳輸層與所述空穴注入層相鄰，所述第二空穴傳輸層設置于所述第一空穴傳輸層和所述發光層之間；

所述摻雜材料摻雜于所述第一空穴傳輸層。

9.如權利要求8所述的結構，其特征在于，所述第一空穴傳輸層包括主材料和摻雜材料；

所述主材料的LUMO能級范圍為-2eV∽-3eV；HOMO能級范圍為-5eV∽-6eV，所述主材料對載流子的遷移率的范圍不大于10^-4cm²/VS。