[發明專利]氮化鎵外延片的鈍化方法

有效

• 申請號: 201710826751.2
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107644813B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 王波;房玉龍;尹甲運;張志榮;郭艷敏;李佳;蘆偉立;馮志紅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/321;H01L29/20
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 王麗巧

1.一種氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上生長氮化鎵外延層；

在所述氮化鎵外延層上生長勢壘層；

在所述勢壘層上沉積鋁原子；

將所述氮化鎵外延片暴露在空氣中，以使得所述氮化鎵外延片在空氣中氧化形成氧化層作為鈍化層；

其中，所述勢壘層為AlGaN勢壘層；所述在所述氮化鎵外延層上生長勢壘層，包括：

通過載氣向反應室通入氮源、鎵源和鋁源；

通過金屬有機化合物化學氣相沉積在所述氮化鎵外延層上外延生長AlGaN勢壘層；

其中，所述在所述勢壘層上沉積鋁原子，包括：

關掉通入所述反應室的氮源和鎵源，通過載氣向所述反應室通入鋁源；其中，所述鋁源為三甲基鋁；

通過金屬有機化合物化學氣相沉積在所述AlGaN勢壘層上沉積鋁原子；其中，所述鋁原子的沉積溫度為300℃至1600℃，所述鋁原子的沉積時間為100秒。

2.如權利要求1所述的氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，所述在襯底上生長氮化鎵外延層，具體包括：

通過載氣向反應室通入鎵源和氮源；

通過金屬有機化合物化學氣相沉積在襯底上外延生長氮化鎵外延層。

3.如權利要求1或2所述的氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，所述鎵源為三甲基鎵或三乙基鎵，所述氮源為氨氣，所述鋁源為三甲基鋁。

4.如權利要求1所述的氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，所述AlGaN勢壘層的生長溫度為400℃至1350℃。

5.如權利要求2所述的氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，所述載氣為氫氣或氮氣。

6.如權利要求1所述的氮化鎵外延片的鈍化方法，其特征在于，所述將所述氮化鎵外延片暴露在空氣中，以使得所述氮化鎵外延片在空氣中氧化形成氧化層作為鈍化層，具體包括：

關閉通入所述反應室的三甲基鋁，在所述反應室中通入氫氣或氮氣，并將所述反應室的溫度降至室溫；

將所述氮化鎵外延片從所述反應室取出，以使得所述氮化鎵外延片暴露在空氣中，并在空氣中氧化形成氧化鋁鈍化層。