[發明專利]具有字符線的半導體結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201710826527.3
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN109509751B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具有字符線的半導體結構，包含：

基底，包含存儲器區和周邊元件區；

第一溝槽和第二溝槽，設置于該存儲器區內的該基底中，其中該第一溝槽的寬度小于該第二溝槽的寬度；

第三溝槽，設置于該周邊元件區內的該基底中，其中該第二溝槽的寬度小于該第三溝槽的寬度；

第一氧化硅層，設置于該第一溝槽的下半部；

第二氧化硅層，設置于該第二溝槽的側壁和該第三溝槽的側壁；

氮化硅層，填入該第二溝槽以及覆蓋該第三溝槽的側壁上的該第二氧化硅 層；

第三氧化硅層，設置于該第三溝槽中，其中該第二氧化硅層、該氮化硅層和該第三氧化硅層共同填滿該第三溝槽；以及

字符線，填入該第一溝槽的上半部、覆蓋該第二溝槽內的該氮化硅層以及部分的該存儲器區，其中利用硅、氧化硅和氮化硅被蝕刻速率的不同，在與該字符線重疊的該第二溝槽內的該氮化硅層的上表面不低于與該字符線重疊的該第一氧化硅層的上表面。

2.如權利要求1所述的具有字符線的半導體結構，其中與該字符線重疊的該氮化硅層的上表面凸出于該第二溝槽。

3.如權利要求1所述的具有字符線的半導體結構，其中與該字符線重疊的該基底具有一基底上表面，該氮化硅層的上表面和該基底上表面切齊。

4.如權利要求1所述的具有字符線的半導體結構，其中與該字符線重疊的該基底具有一基底上表面，該氮化硅層的上表面低于該基底上表面。

5.一種具有字符線的半導體結構的制作方法，包含：

提供一基底，包含存儲器區和周邊元件區；

形成一第一溝槽和一第二溝槽，位于該存儲器區，形成一第三溝槽在該周邊元件區，其中第一溝槽的寬度小于該第二溝槽的寬度，該第二溝槽的寬度小于該第三溝槽的寬度；

形成一第一氧化硅層，填滿該第一溝槽、順應地覆蓋該第二溝槽和該第三溝槽；

移除位于該第二溝槽內和該第三溝槽內的該第一氧化硅層；

形成一氮化硅層，填滿該第二溝槽并且順應地覆蓋該第三溝槽；

形成一第二氧化硅層于該第三溝槽，其中該第二氧化硅層和該氮化硅層填滿該第三溝槽；

移除該存儲器區內部分的該基底、部分該第一氧化硅層和部分的該氮化硅層以形成一字符線溝槽；以及

形成一字符線填入該字符線溝槽，其中利用硅、氧化硅和氮化硅被蝕刻速率的不同，在與該字符線重疊的該第二溝槽內的該氮化硅層的上表面不低于與該字符線重疊的該第一氧化硅層的上表面。

6.如權利要求5所述的具有字符線的半導體結構的制作方法，另包含：

移除位于該第二溝槽內、第三溝槽內和該基底的上表面的該第一氧化硅層后，形成一第三氧化硅層順應地覆蓋該第二溝槽和該第三溝槽。

7.如權利要求6所述的具有字符線的半導體結構的制作方法，其中該第三氧化硅層、該第二氧化硅層和該氮化硅層填滿該第三溝槽，該第三氧化硅層和該氮化硅層填滿該第二溝槽。

8.如權利要求5所述的具有字符線的半導體結構的制作方法，其中該第一氧化硅層的厚度大于二分之一的該第一溝槽的寬度。

9.如權利要求5所述的具有字符線的半導體結構的制作方法，其中該氮化硅層的厚度大于二分之一的該第二溝槽的寬度。