[發明專利]一種黑硅MWT背接觸電池的制備方法有效
| 申請號: | 201710825611.3 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN107658370B | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發明(設計)人: | 吳兢;蒲天;杜歡;趙興國 | 申請(專利權)人: | 江蘇輝倫太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0236;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 32224 南京縱橫知識產權代理有限公司 | 代理人: | 董建林;薛海霞 |
| 地址: | 210061 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mwt 接觸 電池 制備 方法 | ||
本發明公開了一種黑硅MWT背接觸電池的制備方法。黑硅MWT背接觸電池的制備方法包括以下步驟:首先對硅片進行去損傷層處理,然后在硅片正面需要穿孔的位置印刷金屬漿料,再對硅片進行黑硅制絨,印刷金屬漿料的硅片表面被穿孔,未印刷金屬漿料的硅片表面形成規則的納米陷光結構,最后再依次進行擴散、鍍膜、印刷、燒結、激光劃線隔離工藝。本發明中通過印刷金屬漿料配合黑硅制絨實現硅片的穿孔,省去激光打孔工序,此方案操作簡單,設備投入低,無需激光打孔設備,最主要的是可以避免因激光打孔帶來的碎片率升高,良率下降的問題;同時匹配黑硅制絨,可進一步提升電池轉換效率約0.4%,相比傳統的MWT背接觸電池制作工藝,其單瓦成本可下降10~15%。
技術領域
本發明屬于技術太陽能電池技術領域,特別涉及一種黑硅MWT背接觸電池的制備方法。
背景技術
傳統的MWT背接觸電池技術是采用激光打孔、背面布線的技術消除了正面電極的主柵線,正面電極細柵線搜集的電流通過孔洞中的銀漿引到背面,這樣電池的正負電極點都分布在電池片的背面,有效減少了正面柵線的遮光,達到提高轉化效率的目的;故對于傳統MWT背接觸電池技術而言,第一步就是進行激光打孔,但是激光打孔因為電池片應力問題,會帶來碎片率升高,良率下降的問題,這個問題一直是MWT背接觸電池未得到廣泛應用的關鍵問題之一。
發明內容
本發明提供一種黑硅MWT背接觸電池的制備方法,以解決現有技術中的問題。采用本發明的金屬漿料結合黑硅制絨的濕化學方法,實現表面納米結構形貌以及化學腐蝕穿孔,不僅解決了碎片率高,良率下降的問題,同時硅片表面具有更優的陷光作用,能夠顯著降低硅片表面的反射率,目前走在行業前段的企業已實現普通電池工藝的黑硅量產。且此工藝方案簡單易行,電池片成本更低,可實現大面積批量生產,擁有很廣泛的應用市場。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案為:
一種黑硅MWT背接觸電池的制備方法,包括以下步驟:
S1、對多晶硅硅片表面進行去損傷層處理;
S2、在硅片表面需要開孔的位置印刷金屬漿料;
S3、將帶金屬漿料的硅片進行黑硅制絨,帶有金屬漿料的硅片表面則被穿孔,沒有金屬漿料的硅片表面則制備為黑硅納米陷光結構,黑硅制絨方法使用金屬離子輔助刻蝕法,得到帶有穿孔的黑硅硅片;被穿孔的位置為硅片表面的金屬漿料所在位置,在被穿孔的位置形成穿孔,穿孔為通孔;
S4、將制備好的帶有穿孔的黑硅硅片進行擴散,形成PN結;
S5、再依次進行鍍膜、印刷、燒結、激光劃線隔離工藝。
所述S2中金屬漿料中的金屬可以為Ag、Cu、Ni等,其金屬漿料成分包括納米銀顆粒、樹脂、有機溶劑及其它,按照質量百分比計算,其中納米銀顆粒為5%~30%、樹脂為40%~60%、有機物載體為10%~40%,其它為0%~15%。
所述樹脂為飽和丙烯酸酯、高分子量環氧樹脂、聚氨酯、聚酰亞胺、酚醛樹脂、飽和聚酯、聚醋酸乙烯酯、聚醋酸乙烯醇的一種或幾種,飽和丙烯酸酯、高分子量環氧樹脂、聚氨酯、聚酰亞胺、酚醛樹脂、飽和聚酯、聚醋酸乙烯酯、聚醋酸乙烯醇以任意比例混合。所述有機物載體按重量百分比分為乙基纖維素1~20%,丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚中任一種或組合30~50%、萜品醇30~69%,丁基卡必醇醋酸酯、鄰苯二甲酸二辛酯、二乙二醇丁醚以任意比例混合。所述其他為松油醇、松節油、蓖麻醇的一種或幾種。松油醇、松節油、蓖麻醇以任意比例混合。采用此金屬漿料成分,使得金屬漿料快速牢固地印刷于黑硅硅片需要穿孔的位置,該金屬漿料使得在后續腐蝕過程中,在黑硅硅片形成穿孔,印刷過程在常溫下即可完成。
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