[發(fā)明專利]納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710824969.4
• 申請日: 2017-09-14
• 公開（公告）號: CN107620038B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔明光;吳兵;劉玲
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
• 主分類號: C23C14/20
• 分類號: C23C14/20;C23C14/50;C23C14/46;C23C14/32;B82Y40/00
• 代理公司: 11567 北京旭路知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王瑩

1.一種納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、選取一臺離子濺射儀，安放在載樣臺上，矯正離子濺射儀，并對離子濺射儀進(jìn)行抽真空操作；

S2、以聚苯乙烯小球作為模板，以金屬靶材為初始材料，將聚苯乙烯小球置于載樣臺上，旋轉(zhuǎn)載樣臺，降低離子濺射儀內(nèi)的真空度，并向離子濺射儀中通入保護(hù)氣體，然后通電將金屬靶材蒸鍍到聚苯乙烯小球表面；

S3、將S2蒸鍍后的聚苯乙烯小球進(jìn)行加熱，升溫至600-700℃，并在此溫度下保溫40-50min，即在聚苯乙烯小球表面沉積納米金屬顆粒陣列；

S4、溶解聚苯乙烯小球，即得到金屬納米顆粒有序陣列；

所述S2中采用的聚苯乙烯小球先后用乙醇、去離子水在超聲波狀態(tài)下清洗其表面，然后在30-35℃的空氣中通風(fēng)烘干；所述S2中采用的功率為100-110W進(jìn)行濺射，濺射時間為13-18s。

2.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S1中采用的真空度為10Pa。

3.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S2中真空度的調(diào)節(jié)以5Pa/min的速率降低至離子濺射儀內(nèi)的真空度為50Pa為止。

4.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S2中通入的保護(hù)氣體為氖氣、氮氣或氦氣的一種或混合。

5.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S2中載樣臺上所承載的聚苯乙烯小球旋轉(zhuǎn)速率為800-1000rpm。

6.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S3中升溫的速率為15-25℃/min。

7.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S3中的真空度控制在100Pa。

8.如權(quán)利要求1所述的納米金屬顆粒陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述S4中采用三氯甲烷溶液溶解聚苯乙烯小球。