[發(fā)明專利]顯示面板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710824514.2 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107589607A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何懷亮 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G09G3/36 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
基板,所述基板包括多個(gè)像素電容和薄膜晶體管,每一所述像素電容均通過與之對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管獲得充電電壓;
M條水平方向設(shè)置的掃描線;以及,
豎直方向設(shè)置的N條數(shù)據(jù)線;其中,
所述M≥2,N≥2,位于同一列的薄膜晶體管連接同一條數(shù)據(jù)線,位于同一行的薄膜晶體管連接同一條掃描線;
所述掃描線具有源端和末端,沿所述掃描線源端至末端方向,所述像素電容被分成T個(gè)像素區(qū),沿所述掃描線源端至末端方向各所述像素區(qū)的電容值逐級(jí)遞減,所述T≥2。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,多個(gè)所述像素電容呈M行N列矩陣排布。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述T≤10。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板,其特征在于,最鄰近所述掃描線源端的像素區(qū)中,各像素電容的平均充電電流為I1,各像素電容的平均充電電壓為U1,各像素電容的平均電容值為C1;
目標(biāo)像素區(qū)中,若各像素電容的平均充電電壓為U2,各像素電容的平均充電電流為I2,則各像素電容的平均電容值
5.一種顯示面板的制造方法,其特征在于,所述顯示面板的制造方法包括以下步驟:
將所述基板劃分為T個(gè)像素區(qū),并選定一個(gè)像素區(qū)作為目標(biāo)像素區(qū),所述T≥2;
在所述目標(biāo)像素區(qū)中,根據(jù)各像素電容的充電電流和充電電壓計(jì)算各像素電容的電容值;
根據(jù)所述像素電容的電容值,確定所述基板與所述目標(biāo)像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的厚度,并根據(jù)所述基板與所述目標(biāo)像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的厚度加工制得基板。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述根據(jù)各像素電容的充電電流和充電電壓計(jì)算各像素電容的電容值具體包括:
獲取最鄰近所述掃描線源端的像素區(qū)中,各像素電容的平均充電電流I1,各像素電容的平均充電電壓U1以及各像素電容的平均值C1;
獲取目標(biāo)像素區(qū)中,各像素電容的平均充電電流I2以及平均充電電壓U2;
根據(jù)公式計(jì)算目標(biāo)像素區(qū)中各像素電容的平均電容值;
其中,C2為目標(biāo)像素區(qū)中各像素電容的平均電容值。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述根據(jù)所述像素電容的電容值,確定所述基板與所述目標(biāo)像素區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域的厚度具體包括:
獲取目標(biāo)像素區(qū)中,各像素電容的平均像素面積S;
根據(jù)公式確定所述基板與所述目標(biāo)像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的厚度;
其中,D為所述基板與所述目標(biāo)像素區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的厚度,ε為液晶介電常數(shù),ε0為真空介電常數(shù)。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,多個(gè)所述像素電容呈M行N列矩陣排布。
9.如權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法,其特征在于,所述T≤10。
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