[發明專利]一種減少刻蝕阻擋層殘留的顯影方法在審
| 申請號： | 201710824329.3 | 申請日： | 2017-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN107479341A | 公開（公告）日： | 2017-12-15 |
| 發明（設計）人： | 黃勝男;賀吉偉;李赟 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/30 | 分類號： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 減少 刻蝕 阻擋 殘留 顯影 方法 | ||
1.一種減少刻蝕阻擋層殘留的顯影方法，應用于制備雙柵極的復合結構中，其特征在于，于所述復合結構的頂部覆蓋一刻蝕阻擋層并對所述復合結構進行曝光處理，具體包括以下步驟：
步驟S1、將經過曝光處理后的所述復合結構傳送至一顯影腔中；
步驟S2、向所述復合結構的表面噴灑顯影液；
步驟S3、控制所述復合結構以一第一預定轉速旋轉，使所述顯影液與所述復合結構表面的所述刻蝕阻擋層充分接觸；
步驟S4、控制所述復合結構以一大于所述第一預定轉速的第二預定轉速旋轉；
步驟S5、向所述復合結構的表面噴灑清洗溶劑，并維持所述第二預定轉速旋轉至一預定時間之后停止旋轉。
2.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述復合結構的頂部為柵氧層，對所述復合結構進行曝光處理的方法包括：
步驟A1、通過涂膠工藝對所述柵氧層的表面進行涂覆以形成所述刻蝕阻擋層；
步驟A2、通過曝光工藝對所述刻蝕阻擋層進行曝光處理，以將掩膜板上的圖形轉移至所述刻蝕阻擋層上。
3.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述第一預定轉速為30rpm。
4.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述清洗溶劑為去離子水。
5.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述第二預定轉速為300rmp。
6.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述預定時間為25秒。
7.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述顯影腔中設置有一卡盤，所述復合結構固定放置于所述卡盤上，通過控制所述卡盤的轉速使所述復合結構到達所述第一預定轉速或者所述第二預定轉速。
8.根據權利要求1所述的顯影方法，其特征在于，所述卡盤的上方設置有一第一噴嘴以及第二噴嘴；
所述第一噴嘴的方向朝向所述復合結構，用以噴灑所述顯影液至所述刻蝕阻擋層上；
所述第二噴嘴的方向朝向所述復合結構，用以噴灑所述清洗溶劑對所述顯影液以及被所述顯影液溶解的所述刻蝕阻擋層進行清洗去除。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司，未經武漢新芯集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710824329.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：蓋板及顯影設備
- 下一篇：一種顯影裝置及顯影方法
