[發(fā)明專利]形成歐姆接觸的方法以及半導體器件的制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710824143.8 | 申請日： | 2017-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN107633998B | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊德林 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/45;B08B3/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 歐姆 接觸 方法 以及 半導體器件 制作方法 | ||
1.一種形成歐姆接觸的方法，其特征在于，所述形成歐姆接觸的方法包括：
提供一晶圓，所述晶圓包括一襯底以及依次形成于所述襯底預定區(qū)域上的金屬層和阻擋層；
對所述晶圓進行快速熱退火處理，以在所述襯底與所述金屬層的界面處形成金屬硅化物層；
去除所述阻擋層和所述金屬層，以暴露出所述金屬硅化物層，所述金屬硅化物層上附著有含硅的氧化物顆粒；
采用大于等于第一預設溫度的去離子水對所述晶圓進行第一次清洗，所述第一次清洗的流量小于等于35L/min；以及
采用小于等于第二預設溫度的去離子水對所述晶圓進行第二次清洗，所述第二次清洗的流量大于等于50L/min，所述第二預設溫度小于所述第一預設溫度。
2.如權利要求1所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，對所述晶圓進行第一次清洗時，清洗時間為400s-600s，流量為25L/min-35L/min。
3.如權利要求2所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，對所述晶圓進行第二次清洗時，清洗時間為200s-400s，流量為55L/min-65L/min。
4.如權利要求3所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，所述第一預設溫度為70攝氏度，所述第二預設溫度為25攝氏度。
5.如權利要求1至4中任一項所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括鈷、鈦和鎳中的一種或多種，所述阻擋層的材料為氮化鈦或鈦鎢合金。
6.如權利要求1至4中任一項所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，對所述晶圓進行快速熱退火處理的溫度為600攝氏度-800攝氏度。
7.如權利要求1至4中任一項所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述阻擋層和所述金屬層。
8.如權利要求7所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，濕法刻蝕去除所述阻擋層和所述金屬層采用的刻蝕液包括硫酸、雙氧水和氨水。
9.如權利要求1至4中任一項所述的形成歐姆接觸的方法，其特征在于，采用低壓化學氣相沉積或金屬有機物沉積的方法形成所述金屬層和所述阻擋層。
10.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，采用如權利要求1至9中任一項所述的形成歐姆接觸的方法。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司，未經(jīng)武漢新芯集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710824143.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種晶圓鍵合方法
- 下一篇：二氧化硅介質(zhì)層的制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
