[發(fā)明專利]單晶硅籽晶拼接方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710824128.3 | 申請日： | 2017-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN107740192A | 公開（公告）日： | 2018-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 肖貴云;陳偉;陳志軍;金浩;林瑤 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/06 | 分類號： | C30B33/06;C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅 籽晶 拼接 方法 | ||
1.一種單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，包括：
依次在每一單晶硅籽晶的拼接面涂覆粘結(jié)劑，然后將涂覆有所述粘結(jié)劑的單晶硅籽晶按預(yù)設(shè)位置依次在一水平工作臺上拼接，以形成一籽晶層；
靜置預(yù)設(shè)時間后，通過機(jī)器手將所述籽晶層放入一坩堝的底端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述粘結(jié)劑的主要組分包括硅溶膠和陶瓷粘結(jié)劑混合物，硅溶膠與陶瓷粘結(jié)劑混合比例的范圍為1：3至2：1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，每兩個所述單晶硅籽晶之間的高度差均小于1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述粘結(jié)劑的涂覆方式為：從所述拼接面的下端向上涂覆，且涂覆后的粘結(jié)劑的高度為所述拼接面的高度的20％-100％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述將涂覆有所述粘結(jié)劑的單晶硅籽晶按預(yù)設(shè)位置依次在一水平工作臺上拼接的步驟包括：擠壓拼接好的兩所述單晶硅籽晶，以使兩所述單晶硅籽晶拼接緊密。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述靜置預(yù)設(shè)時間的步驟之前，所述方法包括：將籽晶層放置在濕度小于50％的室內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)時間為600s-3600s。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述依次在每一單晶硅籽晶的拼接面涂覆粘結(jié)劑的步驟之前，所述方法包括：對每一所述單晶硅籽晶進(jìn)行沖洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述籽晶層的四條邊與對應(yīng)的坩堝內(nèi)壁的距離相等。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述水平工作臺的表面粗糙度小于0.2mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司，未經(jīng)晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710824128.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
