[發明專利]柔性OLED面板的制作方法在審
| 申請號: | 201710824009.8 | 申請日: | 2017-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN107644891A | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 李松杉 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56;H01L21/78;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 oled 面板 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性OLED面板的制作方法。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點,被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。
OLED顯示技術與傳統的液晶顯示技術不同,無需背光燈,采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板,當有電流通過時,這些有機材料就會發光。但是由于有機材料易與水汽或氧氣反應,作為基于有機材料的顯示設備,OLED顯示屏對封裝的要求非常高,因此,通過OLED器件的封裝提高OLED器件內部的密封性,盡可能的與外部環境隔離,對于OLED器件的穩定發光至關重要。
目前OLED器件的封裝主要在硬質封裝基板(如玻璃或金屬)上通過封裝膠封裝,但是該方法并不適用于柔性器件,而柔性OLED顯示器是未來顯示行業發展的必然趨勢,因此,也有技術方案通過疊層的薄膜對OLED器件進行封裝,該薄膜封裝方式一般是在基板上的OLED器件上方形成兩層為無機材料的阻水性好的阻擋層(Barrier Layer),在兩層阻擋層之間形成一層為有機材料的柔韌性好的緩沖層(Buffer Layer)。目前這種封裝技術已經較為成熟,取得了很好的封裝效果并應用在了相關產品當中。
柔性OLED顯示器是采用柔性基板(Flexible Substrate)制成的可彎曲顯示設備,通常采用柔性聚酰亞胺(Polyimide,PI)基板,其中柔性PI基板是通過在普通的玻璃基板上涂布一層PI膜所形成,在OLED器件制作完成后,再采用激光將柔性PI基板從玻璃基板上剝離下來,然而現有制程忽視了玻璃基板透光率的影響,而采用一般的玻璃基板,其激光的穿透率僅為90%左右,因此在進行激光剝離時需要使用很高的能量(460-500mj)才能使柔性PI基板脫離玻璃基板,而高能量的激光會嚴重損傷到柔性PI基板和其上的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)器件,影響TFT器件的電性,造成良率降低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柔性OLED面板的制作方法,使用較低的能量就可以使柔性襯底基板從玻璃基板上剝離下來,不會影響到柔性襯底基板和TFT層的性能,可以得到正常的TFT電性,從而大幅度改善產品良率。
為實現上述目的,本發明提供一種柔性OLED面板的制作方法,包括如下步驟:
步驟S1、提供玻璃基板,在所述玻璃基板上形成柔性襯底基板,在所述柔性襯底基板上形成TFT層,在所述TFT層上形成OLED層;
步驟S2、采用激光對柔性襯底基板進行激光剝離,使所述柔性襯底基板從玻璃基板上剝離下來;
所述玻璃基板對所述步驟S2中所采用的激光的透過率為96%以上。
所述步驟S1中所形成的柔性襯底基板為聚酰亞胺基板,其具體形成過程為:在所述玻璃基板上涂布一層聚酰亞胺材料,對其進行烘烤,得到聚酰亞胺材料的柔性襯底基板。
所述步驟S2中所采用的激光的波長為308nm。
所述步驟S2中所使用的激光的能量為400-430mj。
所述步驟S1中所形成的TFT層用于對所述OLED層進行驅動,包括多個陣列排布的TFT器件,所述TFT器件為低溫多晶硅型、或者金屬氧化物型。
所述步驟S1中所形成的OLED層包括設于所述TFT層上的第一電極層、設于所述TFT層和第一電極層上的像素定義層、設于第一電極層上的有機功能層、以及設于像素定義層和有機功能層上的第二電極層;
所述像素定義層在第一電極層上圍出多個陣列排布的像素開口;所述有機功能層設于所述像素開口內;每一像素開口內的有機功能層、其下方對應的第一電極層、以及其上方對應的第二電極層共同構成一OLED器件。
所述步驟S1中形成OLED層的具體過程為:在所述TFT層上形成第一電極層,在所述TFT層及第一電極層上形成像素定義層,在所述像素定義層的多個像素開口內形成有機功能層,在所述像素定義層及有機功能層上形成第二電極層。
所述步驟S1中形成OLED層中,所述第一電極層、第二電極層分別用作OLED器件的陽極和陰極,所述第一電極層為氧化銦錫層/銀層/氧化銦錫層的疊層材料。
所述有機功能層包括依次設置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





