[發明專利]一種新型增透膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201710823203.4
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107356991A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 唐純瑞;王彬;代璐
• 申請（專利權）人: 上海道助電子科技有限公司
• 主分類號: G02B1/111
• 分類號: G02B1/111;G02B1/113
• 代理公司: 上海精晟知識產權代理有限公司31253
• 代理人: 馮子玲

1.一種新型增透膜，其特征在于，包括：

高分子層，

陶瓷氧化物層，

以及匹配層，

所述匹配層位于所述高分子層和所述陶瓷氧化物層之間。

2.如權利要求1所述的新型增透膜，其特征在于：

其中，所述匹配層由金屬氧化物中添加占其質量比為6～10％的介電氧化物鑭系材料，經真空鍍膜，形成在所述高分子層上。

3.如權利要求2所述的新型增透膜，其特征在于：

其中，所述金屬氧化物為Al₂O₃。

4.如權利要求2所述的新型增透膜，其特征在于：

其中，所述介電氧化物鑭系材料為La₂Ti₂O₇。

5.一種制備如權利要求1所述的新型增透膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：在金屬氧化物材料中添加占其質量比為6～10％介電氧化物鑭系材料加熱，使之均勻分散；

步驟二：金屬氧化物材料以定速率3～4A/S穩定沉積厚度30～50nm，在涂層高分子系形成匹配層；

步驟三：在所述匹配層上制備陶瓷氧化物層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于：

步驟一中，所述金屬氧化物材料為Al₂O₃。

7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于：

步驟一中，所述介電氧化物鑭系材料為La₂Ti₂O₇。

8.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于：

步驟一中，以電子束加熱Al2O3和鑭系材料。

9.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于：

步驟二中，匹配層沉積過程中加入離子源輔助轟擊。