[發明專利]一種多路集成窄脈沖半導體激光器

有效

• 申請號: 201710823181.1
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107528212B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發明（設計）人: 張厚博;王曉燕
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

1.一種多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，包括：激光器管殼、驅動電路板和多個激光器單元；每一個激光器單元包括一個功率管、一個高壓電容和一組激光器芯片組，各個激光器單元的功率管和高壓電容均設置在驅動電路板上，所述驅動電路板設置在所述激光器管殼上；

各個激光器單元的功率管的柵極分別輸入激光控制信號，各個激光器單元的功率管的漏極分別與對應的激光器芯片組的負極連接，各個激光器單元的功率管的源極和對應的高壓電容的第一連接端連接，各個激光器單元的高壓電容的第二連接端和對應的激光器芯片組的正極連接，所述高壓電容的第二連接端接入高壓電源；

所述激光器芯片組包括至少兩個相互串聯的第一激光器芯片和第二激光芯片，所述第一激光芯片的正極與所述第二激光芯片的負極連接，所述第一激光芯片的負極為所述激光器芯片組的負極，所述第二激光芯片的正極為所述激光器芯片組的正極。

2.根據權利要求1的所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，還包括陶瓷板，各個激光器單元的激光器芯片組設置在所述陶瓷板上，所述陶瓷板設置在所述激光器管殼上。

3.根據權利要求1所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，所述功率管為氮化鎵P型MOS管或氮化鎵N型MOS管。

4.根據權利要求1所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，所述驅動電路板為PCB電路板。

5.根據權利要求2所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，在第一預設焊接溫度采用金錫焊料將各個激光器單元的激光器芯片組分別與所述陶瓷板焊接。

6.根據權利要求1至4任一項所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，在第二預設焊接溫度采用錫銀銅焊膏將氮化鎵功率管和高壓電容與所述驅動電路板焊接。

7.根據權利要求1至4任一項所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，在第三預設焊接溫度采用鉛錫焊膏將驅動電路板和陶瓷板與激光器管殼焊接。

8.根據權利要求1至4任一項所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，所述激光器單元個數為6個。

9.根據權利要求1至4任一項所述的多路集成窄脈沖半導體激光器，其特征在于，所述高壓電容的第一連接端接地。