[發明專利]N型SiC歐姆接觸電極的制作方法

有效

• 申請號: 201710823143.6
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107578989B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 譚永亮;劉佳佳;梁東升;劉相伍;張力江;崔玉興
• 申請（專利權）人: 北京國聯萬眾半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 柳萌

1.一種N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

在N型SiC圓片(1)的上表面歐姆接觸電極區進行光刻，制作歐姆接觸電極的掩膜(3)；

在具有掩膜(3)的SiC圓片(1)的上表面依次沉積Ni層、Ti層以及Pt層，所述沉積方法為：

蒸發金屬Ni，厚度為30nm～70nm，蒸發速率0.2～0.5nm/s；

蒸發金屬Ti，厚度為20nm～30nm，蒸發速率0.2～0.4nm/s；

蒸發金屬Pt，厚度為30nm～60nm，蒸發速率0.3～0.6nm/s；

沉積結束后進行剝離工藝，去除多余的金屬；

在惰性氣氛中進行快速熱退火處理，所述快速熱退火處理方法為：

將制作好金屬歐姆接觸電極的N型SiC圓片(1)放入快速熱退火爐中，先通入1～10min的純度為5N的Ar氣來排除空氣；

以5～20℃/s的速率升溫至所設定的溫度，所述設定溫度為950℃～1050℃，以1～5slm的流量向退火爐中通入Ar氣，將SiC材料置于設定的溫度在氬氣環境中保持30～60s，然后以5～20℃/s的速率降至室溫；

從而在所述N型SiC圓片(1)的上表面形成歐姆接觸電極(5)。

2.如權利要求1所述的N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：在N型SiC圓片(1)的上表面歐姆接觸電極區進行光刻之前還包括對所述N型SiC圓片(1)進行標準RCA清洗的步驟。

3.如權利要求1所述的N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：對形成所述掩膜(3)后的N型SiC圓片(1)的歐姆電極區進行清洗的步驟。

4.如權利要求1所述的N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于，所述的在N型SiC圓片(1)的上表面歐姆接觸電極區進行光刻，制作歐姆接觸電極的掩膜的方法如下：將N型SiC圓片(1)進行烘片，溫度為90℃～130℃，時間2min～30min；

在N型SiC圓片(1)表面涂覆光刻膠(2)，對光刻膠(2)進行烘焙，溫度90℃～130℃，時間1min～3min；

使用掩膜版，對N型SiC圓片(1)表面需要制備歐姆接觸電極的區域進行曝光處理；

使用顯影液對曝光后的圓片進行顯影，去除曝光窗口內的光刻膠，形成所述歐姆接觸電極的掩膜(3)。

5.如權利要求1所述的N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于，沉積結束后進行剝離工藝，去除多余的金屬的方法如下：

將金屬淀積后的所述圓片放入丙酮中浸泡，直到多余金屬薄膜從圓片上脫離；

將所述圓片放入異丙醇中浸泡，時間1min～10min；

使用去離子水對圓片進行沖洗，時間1min～10min；

將圓片使用氮氣吹干，備用。

6.如權利要求1所述的N型SiC歐姆接觸電極的制作方法，其特征在于：歐姆接觸電極(5)之間的距離為5μm～30μm。