[發(fā)明專利]基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710821482.0
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN107658247A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張蕓;賈旭濤;賈瑞
• 申請（專利權(quán)）人: 北京旭日龍騰新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/0236
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，包括：

腐蝕槽，用于盛放腐蝕液及待腐蝕基片；

光源，用于發(fā)射催化光；

透光板，設(shè)置于所述腐蝕槽上方，具有周期性的孔隙，用于使所述催化光透過射入所述腐蝕槽；

所述基片的表面在所述催化光的作用下，由所述腐蝕液腐蝕得到所述陷光結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述光源為面光源和/或點光源，其發(fā)射的催化光經(jīng)由一勻光板透過所述透光板射入所述腐蝕槽；

優(yōu)選地，所述催化光的光強(qiáng)不小于500W/cm²。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述光源包括氙燈光源、鹵鎢燈光源、激光光源和/或發(fā)光二極管：

所述基片在所述腐蝕槽中的浸入深度與所述光源發(fā)射的催化光的波長相匹配。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述光源為氙燈光源和/或鹵鎢燈光源；所述制備裝置還包括置于所述透光板上方/下方的濾光片，以使波長與所述基片在所述腐蝕槽中的浸入深度相匹配的部分催化光濾過；和/或，

所述光源為光纖激光器或光纖激光器陣列，所述制備裝置還包括固定于所述透光板孔隙的光纖保護(hù)筒，用于固定所述光纖激光器的光纖。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述腐蝕槽包括鏈?zhǔn)讲垠w；

所述基片置于所述鏈?zhǔn)讲垠w的至少兩個內(nèi)部滾輪的上表面，以通過所述內(nèi)部滾輪帶動所述基片水平運動。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述透光板的上表面覆蓋有導(dǎo)熱材料，用于帶走光束照射帶來的熱量；和/或，

所述透光板的孔隙寬度大于2μm，相鄰兩孔隙之間的間隔大于2μm；和/或，

所述基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置還包括：固定于所述透光板的孔隙處的微透鏡，用于對所述催化光聚焦。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述腐蝕液為酸性腐蝕液，該腐蝕液包括硝酸、氫氟酸、鹽酸、硫酸、雙氧水和水；所述腐蝕液腐蝕得到陷光結(jié)構(gòu)的腐蝕溫度為0℃-60℃，腐蝕時間為0.5min-60min。

8.一種基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，用于得到反射率R介于10％-25％的基片，包括：

權(quán)利要求1至7中任一項所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置；

酸性修飾槽，用于盛放酸性修飾液，以對形成有陷光結(jié)構(gòu)的基片進(jìn)行表面修飾；

堿性修飾槽，用于盛放堿性修飾液，以對形成有陷光結(jié)構(gòu)的基片進(jìn)一步進(jìn)行表面修飾。

9.根據(jù)權(quán)利要求8任一項所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，其中：

所述酸性修飾液包括硝酸、氫氟酸、化學(xué)添加劑和水；所述硝酸的濃度為1％-30％，所述氫氟酸的濃度為5％-20％；其腐蝕修飾溫度為0℃-50℃，腐蝕修飾時間為0.5min-30min；

所述堿性修飾液包括堿液、化學(xué)添加劑和水，所述堿液包括NaOH溶液、和/或kOH溶液、和/或四甲基氫氧化銨溶液；所述堿液的濃度為0.1％-10％；其腐蝕修飾溫度為0℃-80℃，腐蝕修飾時間為0.1min-20min。

10.一種基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備方法，采用權(quán)利要求8-9中任一項所述的基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備裝置，包括以下步驟：

步驟1、光源發(fā)射催化光，該催化光透過透光板的孔隙射入所述腐蝕槽；

步驟2、腐蝕槽中的腐蝕液，在所述催化光的作用下，腐蝕置于所述腐蝕槽中的基片，在所述基片表面形成陷光結(jié)構(gòu)；

步驟3、機(jī)械臂配合插片機(jī)將所述表面形成陷光結(jié)構(gòu)的基片移至酸性修飾槽中，其中的酸性修飾液對所述陷光結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行修飾；

步驟4、機(jī)械臂配合插片機(jī)將所述表面形成陷光結(jié)構(gòu)的基片自所述酸性修飾槽移至堿性修飾槽中，其中的堿性修飾液對所述陷光結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)一步修飾；

重復(fù)上述步驟3-4，直至所述基片的反射率R介于10％-25％之間，完成所述基片表面陷光結(jié)構(gòu)的制備。