[發明專利]光寫入裝置以及圖像形成裝置

在審

• 申請號: 201710821256.2
• 申請日: 2017-09-13
• 公開（公告）號: CN107833558A
• 公開（公告）日: 2018-03-23
• 發明（設計）人: 矢野壯;渡邊義和;橫田壯太郎
• 申請（專利權）人: 柯尼卡美能達株式會社
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233;G03G15/043
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 張晉逾

技術領域

本發明涉及光寫入裝置以及圖像形成裝置，尤其，涉及對由OLED的正向電壓的變動或向OLED供應驅動電流的TFT的特性所引起的光量偏差進行校正的技術。

背景技術

近年來，圖像形成裝置的小型化的要求進一步變強，對于光寫入裝置(PH:Print Head(打印頭))也以小型化為目的，正在從將現有的激光二極管(LD:Laser Diode)作為發光源的光掃描方式轉換為將微小點的發光元件以線狀配置的線光學方式。

進一步，對于圖像形成裝置的低成本化的要求也持續變強，作為將線光學方式的光寫入裝置低成本化的技術，對發光元件應用了有機LED(有機發光二極管(OLED:Organic Light Emitting Diode))的OLED-PH受到矚目。由于OLED-PH能夠將作為電流驅動型的發光元件的OLED和對OLED供應驅動電流而控制發光量的薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)形成在同一基板上，所以能夠降低制造成本。

OLED除了應用于OLED-PH以外，還應用于圖像接收裝置。在圖像接收裝置中，由于很多個OLED二維配置且顯示動態圖像，所以OLED間的光量偏差容許至30％。另一方面，在OLED-PH中，若光量偏差超過1％，則對于印刷圖像的影響被視覺辨認，難以實際使用。因此，在OLED-PH中，需要以高的精度來校正光量偏差。

例如，在將圖11所示的OLED和對OLED供應與柵極-源極間電壓Vgs相應的驅動電流的TFT進行了組合的大約15000個發光電路沿著主掃描方向排列的OLED-PH中，即使對各TFT輸入了相同的柵極-源極間電壓Vgs，各OLED的光量也未必恒定，會發生偏差。在這樣的光量偏差中，考慮如圖12所示的主要原因。

若這些主要原因中的閾值電壓Vth或遷移率μ發生變動，則TFT供應的驅動電流(漏極電流)Id與閾值電壓Vth和遷移率μ大致成比例，所以驅動電流Id發生變動。進一步，由于OLED的光量與發光效率α和驅動電流Id大致成比例，所以要是TFT的閾值電壓Vth和遷移率μ以及OLED的發光效率α發生變動的話會產生光量偏差。

因此，例如，提出了將在對TFT通過了期望的驅動電流時的柵極-源極間電壓Vgs保持在電容器中，并在OLED的發光時對TFT施加在該電容器中保持的柵極-源極間電壓Vgs的技術。若這樣，就能夠消除由TFT的閾值電壓Vth的變動所引起的光量偏差(參照專利文獻1)。

此外，還提出了使全部OLED在同一條件下發光并檢測每個OLED的發光量，根據檢測出的光量而按每個OLED校正驅動條件的技術。若這樣，就能夠消除由OLED的發光效率α的變動所引起的光量偏差(參照專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-58428號公報

專利文獻2：日本特開2005-329634號公報

專利文獻3：日本特開2004-252036號公報

專利文獻4：日本特開2005-352148號公報

發明內容

但是，如圖11所示，在對TFT和OLED的串聯電路施加固定電壓Vdd的狀態下，若配合OLED的發光效率的變化而使驅動電流Id變化，則OLED的正向電壓Vel發生變化，所以TFT的源極-漏極間電壓Vsd發生變化。

如圖13所示，TFT即使在飽和區域中要是源極-漏極間電壓Vsd發生變化的話漏極電流Id也發生變化。因此，根據TFT的飽和區域中的源極-漏極間電壓Vsd的偏移或OLED的正向電壓Vel的變動也會發生光量偏差，但根據上述現有技術，不能消除由這樣的原因所引起的光量偏差。

此外，若為了消除光量偏差而追加用于檢測每個OLED的光量的光量傳感器，則對低成本化有效的OLED-PH的優點被抵消，所以不好。

本發明是鑒于如上所述的問題而完成的，其目的在于，提供一種光寫入裝置以及圖像形成裝置，能夠抑制由TFT的飽和區域中的源極-漏極間電壓Vsd的偏移或OLED的正向電壓Vel的變動所引起的光量偏差，而不會導致成本上升。