[發明專利]一種絲網漏涂玻璃鈍化模具及其工藝方法

有效

• 申請號: 201710815321.0
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN107611044B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 潘建英;王成森;沈怡東;錢如意;沈廣宇
• 申請（專利權）人: 捷捷半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 32243 南京正聯知識產權代理有限公司
• 代理人: 盧海洋

本發明公開了一種絲網漏涂玻璃鈍化模具，包括硅單晶片、不銹鋼絲網網版、不銹鋼刮刀，硅單晶片設有臺面腐蝕槽，不銹鋼絲網網版帶有凸臺及漏透區域，不銹鋼絲網網版一側設有凸臺，漏透區域的排布、位置與形狀尺寸完全與硅單晶片單面的臺面腐蝕槽區域一致，凸臺兩側相鄰位置設有漏透區域，不銹鋼刮刀一側設有2?5CM高刀刃，凸臺凸出高度較硅單晶片臺面腐蝕槽深度短3?5微米，一種絲網漏涂玻璃鈍化工藝方法，包括以下步驟：對版；上玻璃糊、刮涂；玻璃糊成型、脫網版；玻璃燒熔，本發明設置凸臺防止過多的玻璃糊刮到玻璃槽中間無效位置。

技術領域

本發明涉及一種絲網漏涂玻璃鈍化工藝方法，應用于半導體芯片制造及晶圓加工領域，特別應用于臺面工藝器件的制作應用。

背景技術

玻璃鈍化一般有刀刮法玻璃鈍化、電泳法玻璃鈍化，刀刮法玻璃鈍化通過在硅單晶片表面利用刮刀將玻璃糊刮入玻璃槽內，然后通過高溫玻璃燒結成型，操作方法較為簡單，設備投資很少，但是硅單晶片片表面易出現不同程序的刮傷，硅單晶片表面需擦去除無效玻璃粉，臺面腐蝕槽底部留有較厚無效玻璃粉，玻璃應力較大；電泳法玻璃鈍化，通過電泳設備將硅單晶片臺面腐蝕槽內吸附一定厚度的玻璃粉，然后通過高溫玻璃燒結成型，硅單晶片臺面腐蝕槽上沿接近表面位置保護很好，但是，硅片表面有突出玻璃粉，影響后續光刻工藝的制作，設備較為昂貴，臺面腐蝕槽底部留有較厚無效玻璃粉，玻璃應力較大。

發明內容

本發明的目的在于提供一種絲網漏涂玻璃鈍化模具及其工藝方法。

本發明采用的技術方案是：

一種絲網漏涂玻璃鈍化模具，其特征在于：包括：硅單晶片、不銹鋼絲網網版、不銹鋼刮刀，所述硅單晶片設有臺面腐蝕槽，所述不銹鋼絲網網版帶有凸臺及漏透區域，所述不銹鋼絲網網版一側設有凸臺，所述漏透區域的排布、位置與形狀尺寸完全與硅單晶片單面的臺面腐蝕槽區域一致，所述凸臺兩側相鄰位置設有漏透區域，所述不銹鋼刮刀一側設有2-5cm高刀刃。

所述凸臺凸出高度較硅單晶片臺面腐蝕槽深度短3-5微米。

所述硅單晶片為圓形，直徑為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸，所述硅單晶片的厚度為150-500微米，所述硅單晶片一側或兩側設有臺面腐蝕槽，且臺面腐蝕槽深度在50-150微米。

所述不銹鋼絲網網版材質由不銹鋼與尼龍網絞合而成。

所述不銹鋼絲網網版漏透區域由間隔1-10微米單獨不連續通孔構成。

一種絲網漏涂玻璃鈍化模具的鈍化工藝方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1：對版：先將絲網網版帶有凸臺的一面與硅單晶片設有臺面腐蝕槽的一面按圖5的方式進行對版、重疊；

步驟2：上玻璃糊、刮涂：按圖6的方式在在絲網網版上涂上適量的玻璃糊，將刮刀緊貼絲網網版正面按圖6虛線箭頭方向進行刮涂1-2次，玻璃糊配比為（重量比）： INK：GPP玻璃粉=1：（1.5-5），INK配比：乙基纖維素：丁基卡畢醇=（1.2-4）g：100ml；

步驟:3：玻璃糊成型、脫網版：硅單晶片熱版加熱預烘成型，將絲網網版垂直脫離硅單晶片，熱版T=250±50℃，t=5-40s，玻璃糊成型，見圖8示意；

步驟:4：玻璃燒熔：將硅單晶片進爐燒結，進爐T=650±15℃，升溫時間t=10±8min，恒溫T=715±15℃，t=15±10min，降溫t=100±20 min，出爐T=450±15℃；