[發明專利]軟性抗氧化銅絲的制備方法在審
| 申請號： | 201710813496.8 | 申請日： | 2017-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN107546133A | 公開（公告）日： | 2018-01-05 |
| 發明（設計）人： | 邵光偉 | 申請（專利權）人： | 佛山慧創正元新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246 | 代理人： | 連圍 |
| 地址： | 528000 廣東省佛山市禪城區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 軟性 氧化 銅絲 制備 方法 | ||
1.軟性抗氧化銅絲的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)將電解銅10-20份、聚乙烯1-3份、聚碳酸酯1-2份、鎂粉2-4份、鎳粉1-3份、二甲基硅油2份混合，加入真空感應熔煉爐中進行輥煉，加熱至1300-1400℃后抽真空，爐內保持攪拌，持續反應2h,降溫至350℃后充入氬氣，保持壓強為5MPa，保溫60min；
(2)將步驟(1)的復合銅液注入鑄模中，同時急速冷卻，形成合金鑄件；
(3)將步驟(2)的合金鑄件進行粗拔以制得直徑為3-4mm的銅絲后，對該銅絲進行退火，退火溫度大約為450-500℃，退火時間大約為15-20分鐘，退火后進行水冷；
(4)將步驟(3)所得粗拔銅絲浸泡在質量百分比濃度為10％的HCl水溶液約5分鐘，然后用按質量配比為3：1：9的Cr2O3：H2SO4：H2O的溶液浸泡3分鐘；
(5)將步驟(4)得到的銅絲用去離子水清洗三遍，自然晾干；
(6)將步驟(5)的銅絲置于拉絲機中進行細拔拉絲，得到直徑為1-2mm的銅絲；
(7)將步驟(6)的銅絲放入筒式氫氣保護熱處理爐里在200℃，2小時的條件下進行定型熱處理，隨爐自然冷卻，待冷卻到室溫后，關閉氫氣，即得成品。
2.根據權利要求1所述的軟性抗氧化銅絲的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中的真空壓強為1.5*10-2-2.5*10-2Pa。
3.根據權利要求1所述的軟性抗氧化銅絲的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中的急速冷卻方式為液氮冷卻。
4.根據權利要求1所述的軟性抗氧化銅絲的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中的水冷條件為冰水混合物。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
