[發(fā)明專利]一種振幅控制電路及電感電容壓控振蕩器電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710812708.0
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN107800387B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱樟明;黃勝;劉術(shù)彬;楊銀堂
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種振幅控制電路，其特征在于，包括：

振幅提取電路(1)，連接振幅檢測電路(2)，用于提取交流振幅信號，將所述交流振幅信號發(fā)送到所述振幅檢測電路；

所述振幅檢測電路(2)，連接比較電路(3)，用于將所述交流振幅信號轉(zhuǎn)換為直流信號，并將所述直流信號發(fā)送到所述比較電路；

比較基準產(chǎn)生電路(3)，連接所述比較電路(4)，用于產(chǎn)生基準信號，并將所述基準信號發(fā)送到所述比較電路；

所述比較電路(4)連接低通濾波電路(5)，用于對所述直流信號與所述基準信號進行比較后，產(chǎn)生對應(yīng)的控制信號，并將所述控制信號發(fā)送到低通濾波電路；

所述低通濾波電路(5)對控制信號進行濾波后輸出；

所述振幅提取電路(1)包括：第一電容(C1)，所述第一電容(C1)兩端分別連接第一振幅信號輸入端(Von)及第一電阻(R1)一端，所述第一電容(C1)連接所述第一電阻(R1)的一端還連接到所述振幅檢測電路(2)；所述第一電阻(R1)另一端分別連接第二電阻(R2)一端、第三電阻(R3)一端及第一MOS管(M1)的漏極；所述第三電阻(R3)另一端連接電源端(VDD)；所述第一MOS管(M1)的柵極連接驅(qū)動電壓端(Vb)且其源極連接接地端(GND)；所述第二電阻(R2)另一端連接第二電容(C2)一端；所述第二電容(C2)另一端連接第二振幅信號輸入端(Vop)，所述第二電容(C2)連接所述第二電阻(R2)的一端還連接到所述振幅檢測電路(2)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振幅控制電路，其特征在于，所述振幅檢測電路(2)包括：第二MOS管(M2)，所述第二MOS管(M2)的D極連接電源端(VDD)，所述第二MOS管(M2)的G極連接在所述第一電容(C1)與所述第一電阻(R1)之間，所述第二MOS管(M2)的S極連接第四電阻(R4)一端、第三MOS管的S極、第三電容(C3)一端；所述第四電阻(R4)另一端接地，所述第三電容(C3)另一端連接電源端(VDD)；所述第三電容(C3)連接所述第四電阻(R4)的一端還連接到所述比較電路(4)；所述第三MOS管的G極連接在所述第二電阻(R2)與第二電容(C2)之間，所述第三MOS管的D極連接電源端(VDD)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振幅控制電路，其特征在于，所述比較基準產(chǎn)生電路(3)包括：第四MOS管(M4)，所述第四MOS管(M4)的G極連接驅(qū)動電壓端(Vb)，所述第四MOS管(M4)的S極接地，所述第四MOS管(M4)的D極連接第五電阻(R5)一端、第五MOS管(M5)的G極；所述第五電阻(R5)另一端連接電源端(VDD)；所述第五MOS管(M5)的D極連接電源端(VDD)，所述第五MOS管(M5)的S極連接第六電阻(R6)一端、第四電容(C4)一端；所述第六電阻(R6)另一端接地，所述第四電容(C4)另一端連接電源端(VDD)；所述第四電容(C4)連接所述第六電阻(R6)的一端還連接到所述比較電路(4)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振幅控制電路，其特征在于，所述比較電路(4)包括一運算放大器，所述運算放大器同相輸入端連接所述振幅檢測電路信號輸出端，反相輸入端連接所述比較基準產(chǎn)生電路信號輸出端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振幅控制電路，其特征在于，所述低通濾波電路(5)包括一濾波電容。

6.一種電感電容壓控振蕩器電路，包括LCVCO電路，其特征在于，還包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的振幅控制電路，所述振幅控制電路以負反饋方式連接所述LCVCO電路。