[發明專利]一種大功率輸出的反激式電路

在審

• 申請號: 201710812112.0
• 申請日: 2017-09-11
• 公開（公告）號: CN107493014A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 虞曉陽;虞金中
• 申請（專利權）人: 無錫華匯金澤電子科技有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335;H02M1/32
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙)32257
• 代理人: 秦昌輝

技術領域

本發明涉及一種反激式電路，尤其涉及一種大功率輸出的反激式電路。

背景技術

反激式電路由于電路簡單可靠、適用電壓范圍廣、成本低廉等優點而得到廣泛應用,然而其峰值電流大且變壓利用率低的缺點一直限制了反激式電路在大功率電源方面的應用，使其只能應用在百多瓦以下的小功率AC-DC變換場合，究其原因有兩點，其一，由于反激式電路是磁芯器件的單象限應用，峰值電流大，功率越高功率器件的電流應力越大，從而造成其在大功率應用時可靠性低。其二，由于反激式電路是靠磁芯器件的儲能來實現變換的，功率越大變壓器的電感越小，漏感也越大，這些不利因素又進一步限制了其功率的增大。

有鑒于上述的缺陷，本設計人，積極加以研究創新，以期創設一種新型結構的大功率輸出的反激式電路，使其更具有產業上的利用價值。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明的目的是提供一種輸出功率大的大功率輸出的反激式電路。

本發明的大功率輸出的反激式電路，包括變壓器，所述變壓器包括相互獨立的至少兩個初級線圈，并且每個初級線圈的兩端并聯連接有開關模塊，所述開關模塊包括尖峰吸收電路。

進一步的，本發明的大功率輸出的反激式電路，還包括均流限流模塊，所述均流限流模塊包括圖騰柱電路和可控硅模塊，所述圖騰柱電路的輸入端與驅動電源連接，圖騰柱電路的輸出端通過MOS管與對應的初級線圈連接，所述可控硅模塊包括NPN三極管和PNP三極管，所述NPN三極管的集電極與所述PNP三極管的基極連接，NPN三極管的基極與PNP三極管的集電極連接，所述PNP三極管的發射極與驅動電源連接，所述NPN三極管的集電極還與所述圖騰柱電路的輸入端連接，NPN三極管的基極通過第二二極管與對應的MOS管連接。

進一步的，本發明的大功率輸出的反激式電路，所述尖峰吸收電路包括第一二極管、電阻和電容，所述電阻與電容并聯連接后與所述第一二極管串聯連接。

借由上述方案，本發明至少具有以下優點：本發明的大功率輸出的反激式電路，多個開關模塊和同一變壓器的多個獨立初級線圈分別連接，每個開關模塊和1個初級線圈組成一路獨立的反激式變換電路，通過多個獨立反激式電路形成的磁通在變壓器中迭加而增大功率的方法，既保持了反激式電路簡單可靠的優點又大大增加了其功率容量。此外，均流限流模塊實現了對開關模塊和變壓器的保護。綜上所述，本發明的大功率輸出的反激式電路輸出功率大。

上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，并可依照說明書的內容予以實施，以下以本發明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。

附圖說明

圖1是本發明的大功率輸出的反激式電路的電路圖；

圖2是一種應用本發明的大功率輸出的反激式電路的電路結構圖；

圖3是圖1中均流限流模塊的電路結構圖；

圖4是圖2中A部的局部放大圖。

圖中，1：變壓器；2：開關模塊；3：第一二極管；4：電阻；5：電容；6：均流限流模塊；7：圖騰柱電路；8：可控硅模塊；9：MOS管；10：NPN三極管；11：PNP三極管。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

參見圖1至圖4，本發明一較佳實施例的一種大功率輸出的反激式電路，包括變壓器1，變壓器包括相互獨立的三個初級線圈，并且每個初級線圈的兩端并聯連接有開關模塊2，開關模塊包括尖峰吸收電路。

作為優選，本發明的大功率輸出的反激式電路，還包括均流限流模塊6，均流限流模塊包括圖騰柱電路7和可控硅模塊8，圖騰柱電路的輸入端與驅動電源連接，圖騰柱電路的輸出端通過MOS管9與對應的初級線圈連接，可控硅模塊包括NPN三極管10和PNP三極管11，NPN三極管的集電極與PNP三極管的基極連接，NPN三極管的基極與PNP三極管的集電極連接，PNP三極管的發射極與驅動電源連接，NPN三極管的集電極還與圖騰柱電路的輸入端連接，NPN三極管的基極通過第二二極管與對應的MOS管連接。

作為優選，本發明的大功率輸出的反激式電路，尖峰吸收電路包括第一二極管3、電阻4和電容5，電阻與電容并聯連接后與第一二極管串聯連接。

參考圖2至圖4，一種應用本發明的大功率輸出的反激式電路的電路結構，其工作原理如下：