[發明專利]一種納米粒子誘導外延生長制備YBCO薄膜的方法有效
| 申請號: | 201710812070.0 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN107459055B | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發明(設計)人: | 金利華;馮建情;王耀;李成山;劉國慶;賈佳林;張平祥 | 申請(專利權)人: | 西北有色金屬研究院 |
| 主分類號: | C01F17/00 | 分類號: | C01F17/00;H01B13/00 |
| 代理公司: | 西安創知專利事務所 61213 | 代理人: | 譚文琰 |
| 地址: | 710016*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米粒子 分散液 制備 誘導 超導層 襯底 表面修飾納米粒子 外延生長 立方狀 分散液涂敷 石英管式爐 氬氧混合氣 襯底表面 磁通釘扎 隨爐冷卻 外延取向 氧氣氣氛 前驅液 自組裝 晶化 取向 滲氧 修飾 旋涂 生長 引入 | ||
1.一種納米粒子誘導外延生長制備YBCO薄膜的方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
步驟一、將硝酸鈥、硝酸鈰按照Ho∶Ce=x∶(1-x)的原子比加入到混合溶劑A中,攪拌均勻后得到總陽離子濃度為5mmol/L~100mmol/L的前驅液,再將所述前驅液置于反應釜中進行溶劑熱反應,待反應結束后靜置分成水相和有機相,制備得到的立方狀的HoxCe1-xO2-δ納米粒子存在于有機相中,除去水相后,對含HoxCe1-xO2-δ納米粒子的有機相進行離心濃縮,然后向離心濃縮后的HoxCe1-xO2-δ納米粒子的有機相中加入乙醇,經超聲分散后得到HoxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液;所述HoxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液中總陽離子的濃度為5mmol/L~100mmol/L;所述x的取值為0.1~0.5,所述δ的取值為0.05~0.25;
或者將硝酸鏑、硝酸鈰按照Dy:Ce=x∶(1-x)的原子比加入到混合溶劑A中,攪拌均勻后得到總陽離子濃度為5mmol/L~100mmol/L的前驅液,再將所述前驅液置于反應釜中進行溶劑熱反應,待反應結束后靜置分成水相和有機相,制備得到的立方狀的DyxCe1-xO2-δ納米粒子存在于有機相中,除去水相后,對含DyxCe1-xO2-δ納米粒子的有機相進行離心濃縮,然后向離心濃縮后的納米粒子的有機相中加入乙醇,經超聲分散后得到DyxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液;所述DyxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液中總陽離子的濃度為5mmol/L~100mmol/L;所述X的取值為0.1~0.5,所述δ的取值為0.05~0.25;
步驟一中所述混合溶劑A由丁醇、甲苯和苯中的一種與水、油酸以及丁基胺按照1:(0.5~1):0.1:0.01的體積比混合而成;
步驟二、將步驟一中得到的HoxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液或者DyxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液涂敷于襯底上,干燥后得到表面修飾納米粒子的襯底;所述襯底為Hastelloy/Al2O3/MgO/CeO2襯底或LaAlO3襯底;
步驟三、將步驟一中得到的HoxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液或者DyxCe1-xO2-δ納米粒子的分散液加入到YBCO前驅液中,攪拌均勻后旋涂在步驟二中得到的表面修飾納米粒子的襯底上,再置于溫度為120℃~200℃的石英管式爐中,并向所述石英管式爐內通入潮濕的氧氣,以5℃/min的速率升溫至400℃~500℃;然后通入潮濕的氬氧混合氣,再以10℃/min~100℃/min的速率升溫至770℃~810℃,保溫1h~2h,待爐溫降至450℃時保溫1h進行滲氧處理,隨爐冷卻至室溫后得到納米粒子誘導取向增強的YBCO薄膜。
2.根據權利要求1所述的一種納米粒子誘導外延生長制備YBCO薄膜的方法,其特征在于,步驟二中所述涂敷為浸涂和旋涂,所述浸涂的提拉速度為1mm/s;所述旋涂的轉速為50r/min~2000r/min,所述旋涂的時間為30s。
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