[發(fā)明專利]地層密度和電阻率關(guān)系的確定方法和裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710811319.6 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN107807409B | 公開(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡祖志;何展翔;石艷玲;劉云祥;徐禮貴;楊輝 | 申請(專利權(quán))人: | 中國石油天然氣集團(tuán)公司;中國石油集團(tuán)東方地球物理勘探有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G01V11/00 | 分類號: | G01V11/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;徐煥 |
| 地址: | 100007 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 地層 密度 電阻率 關(guān)系 確定 方法 裝置 | ||
1.一種地層密度和電阻率關(guān)系的確定方法,其特征在于,包括:
獲取目標(biāo)區(qū)域的測井?dāng)?shù)據(jù)和地質(zhì)分層數(shù)據(jù);
按照第一間隔,從所述測井?dāng)?shù)據(jù)中獲取多個第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù);
根據(jù)所述地質(zhì)分層數(shù)據(jù),合并位于同一地層的第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù),得到所述目標(biāo)區(qū)域中各個地層的第一數(shù)據(jù)體;
根據(jù)各個地層的第一數(shù)據(jù)體,構(gòu)建關(guān)于地層密度和電阻率關(guān)系的多個關(guān)系函數(shù);
從所述多個關(guān)系函數(shù)中,確定出符合預(yù)設(shè)要求的關(guān)系函數(shù),作為所述目標(biāo)區(qū)域的地層密度和電阻率關(guān)系;
其中,根據(jù)各個地層的第一數(shù)據(jù)體,構(gòu)建關(guān)于地層密度和電阻率關(guān)系的多個關(guān)系函數(shù),包括:
根據(jù)各個地層的第一數(shù)據(jù)體,按照以下公式,構(gòu)建關(guān)于地層密度和電阻率關(guān)系的多個關(guān)系函數(shù),其中,所述多個關(guān)系函數(shù)包括以下至少之一:第一關(guān)系函數(shù)、第二關(guān)系函數(shù)、第三關(guān)系函數(shù):
y2=a0+a1x
y3=a0+a1x+a2x2
上式中,y1為多個關(guān)系函數(shù)中第一關(guān)系函數(shù)的擬合密度,y2為多個關(guān)系函數(shù)中第二關(guān)系函數(shù)的擬合密度,y3為多個關(guān)系函數(shù)中第三關(guān)系函數(shù)的擬合密度,x為電阻率的對數(shù),a0為第一擬合系數(shù),a1為第二擬合系數(shù),a3為第三擬合系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一間隔為5米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從所述測井?dāng)?shù)據(jù)中,獲取多個第一采樣點(diǎn)的密度數(shù)據(jù),包括:
確定所述測井?dāng)?shù)據(jù)中是否包括密度測井?dāng)?shù)據(jù);
在所述測井?dāng)?shù)據(jù)中包括密度測井?dāng)?shù)據(jù)的情況下,根據(jù)所述密度測井?dāng)?shù)據(jù),確定所述多個第一采樣點(diǎn)的密度數(shù)據(jù);
在所述測井?dāng)?shù)據(jù)中不包括密度測井?dāng)?shù)據(jù)的情況下,根據(jù)聲波測井?dāng)?shù)據(jù),確定所述多個第一采樣點(diǎn)的密度數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,根據(jù)聲波測井?dāng)?shù)據(jù),確定所述多個第一采樣點(diǎn)的密度數(shù)據(jù),包括:
按照以下公式確定所述多個第一采樣點(diǎn)的密度數(shù)據(jù):
den=a(b/AC)1/4
上式中,den為密度數(shù)據(jù),AC為聲波測井?dāng)?shù)據(jù),a為第一系數(shù),b為第二系數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,從所述多個關(guān)系函數(shù)中,確定出符合預(yù)設(shè)要求的關(guān)系函數(shù),包括:
根據(jù)所述多個關(guān)系函數(shù),確定所述多個關(guān)系函數(shù)中各個關(guān)系函數(shù)的評價參數(shù);
根據(jù)所述各個關(guān)系函數(shù)的評價參數(shù),確定評價參數(shù)中數(shù)值最大的關(guān)系函數(shù),作為所述符合預(yù)設(shè)要求的關(guān)系函數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述多個關(guān)系函數(shù),確定所述多個關(guān)系函數(shù)中各個關(guān)系函數(shù)的評價參數(shù),包括:
按照以下公式,確定關(guān)系函數(shù)的評價參數(shù):
上式中,r2為關(guān)系函數(shù)的評價參數(shù),yobs為實(shí)測密度,y為關(guān)系函數(shù)對應(yīng)的擬合密度,為關(guān)系函數(shù)對應(yīng)的擬合密度的平均值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,在獲取多個第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù)后,所述方法還包括:
對所述多個第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù)進(jìn)行低通濾波處理,得到處理后的第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù);
相應(yīng)的,根據(jù)所述地質(zhì)分層數(shù)據(jù),合并位于同一地層的第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù),得到所述目標(biāo)區(qū)域中各個地層的第一數(shù)據(jù)體,包括:
根據(jù)所述地質(zhì)分層數(shù)據(jù),合并位于同一地層的處理后的第一采樣點(diǎn)的電阻率數(shù)據(jù)和密度數(shù)據(jù),得到所述目標(biāo)區(qū)域中各個地層的第一數(shù)據(jù)體。
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