[發明專利]耐高溫高強韌性氮化硅基透波復合材料及制備方法有效
| 申請號： | 201710809871.1 | 申請日： | 2017-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN107698271B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 劉永勝;葉昉;陳乃齊;成來飛;李明星;張立同 | 申請（專利權）人： | 西北工業大學 |
| 主分類號： | C04B35/81 | 分類號： | C04B35/81;C04B35/584;C04B35/634;C04B35/632;C04B35/624;C04B38/00;C04B41/89;H01Q1/42 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 王鮮凱 |
| 地址： | 710072 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 耐高溫 高強 韌性 氮化 硅基透波 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種耐高溫高強韌性氮化硅基透波復合材料的制備方法，其特征在于：復合材料為多層交替BN/Si3N4基體，最內層為BN基體，中間層為交替BN/Si3N4基體，最外層為Si3N4基體；
所述制備方法的步驟如下：
步驟1、Si3N4晶須素坯的制備：將體積分數為20～50％的Si3N4晶須和1.5～2.5wt.％的分散劑聚丙烯酸胺溶于去離子水，加入PH值調節劑四甲基氫氧化銨調節漿料pH值為9～11；之后加入4～10wt.％的單體丙烯酰胺AM和0.2～1.0wt.％的交聯劑亞甲基雙丙烯酰胺MBAM后球磨24～36h，真空除泡10min；之后加入0.2～0.5wt.％的引發劑過硫酸銨APS和0.02～0.1wt.％的催化劑四甲基乙二胺TEMED，攪拌后澆注于模具中，成型制得Si3N4晶須素坯；
步驟2：將Si3N4晶須素坯在室溫自然干燥12～36h，然后置于50～100℃烘箱中烘干；再置于馬沸爐中，在400～700℃空燒排膠2～4h，獲得Si3N4晶須預制體；
步驟3、界面的制備：將Si3N4晶須預制體置于沉積爐中，采用CVI法制備BN界面，界面厚度0.8～1.5μm；然后可將含BN界面的Si3N4晶須預制體置于高溫爐中進行熱處理，處理溫度1300℃，處理時間2～6h；
步驟4、基體的制備：將步驟3得到含BN界面的Si3N4晶須預制體置于沉積爐中，采用CVI法制備多層交替BN/Si3N4基體，最內層為BN基體，中間層為交替BN/Si3N4基體，最外層為Si3N4基體。
2.根據權利要求1所述耐高溫高強韌性氮化硅基透波復合材料的制備方法，其特征在于：所述步驟1Si3N4晶須預制體采用凝膠注模成型。
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