[發(fā)明專利]一種IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710806890.9
• 申請(qǐng)日: 2017-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN107731768B
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐新靈;李現(xiàn)兵;張朋;張喆;吳鵬飛;武偉;林仲康;石浩;田麗紛;王亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L23/64;H01L25/07
• 代理公司: 11250 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李旦華<國際申請(qǐng)>=<國際公布>=<進(jìn)入

1.一種IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

絕緣基板(1)；

至少兩個(gè)IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)，設(shè)于所述絕緣基板(1)上；

至少兩個(gè)發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)，與所述IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置于所述絕緣基板(1)上，且多個(gè)所述發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)之間相互絕緣，每個(gè)所述IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)的發(fā)射極與其對(duì)應(yīng)的所述發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接；

發(fā)射極端子母線(6)，設(shè)于所述絕緣基板(1)上，與每個(gè)所述發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)射極端子母線(6)包括第一導(dǎo)體支架(7)，適于與外側(cè)電路電氣連接的第一外接端子，以及多個(gè)第一內(nèi)接端子，每個(gè)所述第一內(nèi)接端子與其對(duì)應(yīng)的所述發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接，所述第一導(dǎo)體支架(7)包括主干部，以及由所述主干部分支形成的若干分支部，所述第一外接端子連接在所述主干部上，所述第一內(nèi)接端子對(duì)應(yīng)連接在所述分支部上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一外接端子至各個(gè)所述第一內(nèi)接端子之間的電流流經(jīng)路徑的長度一致。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一所述第一內(nèi)接端子至所述第一外接端子之間的電流流經(jīng)路徑的長度大于所述第一內(nèi)接端子與所述第一外接端子之間的直線距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣基板(1)上還設(shè)有與所述IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)集電極匯流結(jié)構(gòu)，每個(gè)所述IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)的集電極與其對(duì)應(yīng)的所述集電極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接；所述絕緣基板(1)上還設(shè)有集電極端子母線(8)，所述集電極端子母線(8)與每個(gè)所述集電極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述集電極端子母線(8)包括第二導(dǎo)體支架(9)，適于與外側(cè)電路電氣連接的第二外接端子，以及多個(gè)第二內(nèi)接端子，每個(gè)所述第二內(nèi)接端子與其對(duì)應(yīng)的所述集電極匯流結(jié)構(gòu)電氣連接,所述第二導(dǎo)體支架(9)包括主干部，以及由所述主干部分支形成的若干分支部，所述第二外接端子連接在所述主干部上，所述第二內(nèi)接端子對(duì)應(yīng)連接在所述分支部上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二導(dǎo)體支架(9)與第一導(dǎo)體支架(7)相互絕緣的層疊設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)設(shè)置有兩個(gè)IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)，對(duì)應(yīng)設(shè)置有兩個(gè)發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)和兩個(gè)集電極匯流結(jié)構(gòu)；兩個(gè)所述集電極匯流結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置于所述絕緣基板(1)上，兩個(gè)所述發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)相互間隔地設(shè)置于兩個(gè)所述集電極匯流結(jié)構(gòu)之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述發(fā)射極端子母線(6)具有兩個(gè)所述第一內(nèi)接端子，所述第一導(dǎo)體支架(7)呈回形針狀，回形針的一側(cè)直線部形成所述主干部，兩個(gè)彎曲部分別形成所述分支部，兩個(gè)所述第一內(nèi)接端子分別連接于兩個(gè)彎曲部的端部，和/或

所述集電極端子母線(8)具有兩個(gè)所述第二內(nèi)接端子，所述第二導(dǎo)體支架(9)呈回形針狀，兩個(gè)所述第二內(nèi)接端子分別連接于回形針的兩端。

10.根據(jù)權(quán)利要求5-9中任一項(xiàng)所述的IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括與IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的FRD芯片(3)并聯(lián)支路組，所述FRD芯片并聯(lián)支路組的陽極與其對(duì)應(yīng)的IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)的發(fā)射極電氣連接于同一個(gè)發(fā)射極匯流結(jié)構(gòu)，和/或

所述FRD 芯片并聯(lián)支路組的陰極與其對(duì)應(yīng)的IGBT芯片并聯(lián)支路組(2)的集電極電氣連接于同一個(gè)集電極匯流結(jié)構(gòu)。