[發明專利]薄膜太陽能電池片及其制備方法

在審

• 申請號: 201710806075.2
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN107611189A
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 沙嫣;沙曉林
• 申請（專利權）人: 南通強生光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0256
• 分類號: H01L31/0256;H01L31/0445;H01L31/075;H01L31/18
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司31236
• 代理人: 郭國中

1.一種薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、在ITO導電玻璃電片上用紅激光刻線，制造子電池；

B、在刻線后的ITO導電玻璃電片上制備PIN電池膜層；

C、在PIN電池膜層上化學氣相法沉積石墨烯膜層；

D、在石墨烯膜層上進行第二次刻線；

E、在刻線后的石墨烯膜層上依次沉積鋁、銅鎳膜；

F、然后在銅鎳膜層上粘覆EVA保護膜；

G、采用激光打標，清除打標區域的EVA保護膜，并在打標區域加錫引出正負極焊點，經切割和測試，即得所述薄膜太陽能電池片。

2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟A中，所述紅激光刻線具體采用以下步驟：將ITO導電玻璃電片清洗后，用波長65～120nm的激光將導電玻璃電片刻劃分成互相獨立的子電池。

3.根據權利要求1或2所述的薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述各子電池之間的線條寬度為95-110um，刻劃的線速度500-700mm/s。

4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟B中，所述PIN電池膜層通過PE-CVD法制備得到，具體步驟如下：

裝片預熱：將經步驟A處理后刻劃好的導電玻璃電片與沉積夾具裝配后推入烘爐中，180-185℃預熱3小時；

制備P層：使用B(CH₃)₃、SiH₄、CH₄、Ar氣體，沉積溫度190～195℃，功率密度0.4～1mW/cm²，硅烷與甲烷流量比為10：1.4～1.55，沉積壓力為0.9torr，放電時間750s；

制備I層：使用SiH₄、Ar氣體，沉積溫度190～195℃，功率密度0.4mw/cm²,沉積壓力為0.9torr，放電時間1000s；

制備N層：使用PH₃、SiH₄、Ar氣體，沉積溫度190～195℃，功率密度0.4～1W/cm²，沉積壓力0.9torr，放電時間400s。

5.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟C中，所述化學氣相法沉積石墨烯膜層的具體步驟如下：

S1、將PIN膜在40-55min內升至800-980℃，之后通入900SCCm流量的氫氣，保持設備內的壓強為0.1-90Torr 15分鐘；

S2、通入氫氣和甲烷，氫氣與甲烷的比例為1：1-1：10，持續通入通氣50-70分鐘，氫氣和甲烷氣體在高溫下氫還原反應；

S3、氫還原反應結束后，保持設備內的壓強為0.1-90Torr，PIN膜的溫度在200-380min內降溫至450-500℃，并且通入氫氣和氦氣，氫氣和氦氣的流量比為1:1-I:10，在40-100min之后，停止通入氫氣，繼續通入流量為100-650sccm的氦氣。

6.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池片的制備方法，其特征在于，步驟E中，采用PVD沉積鋁、銅鎳膜，且沉積時本底真空度小于2.5×10^-7Pa，濺射真空度小于2×10^-4Pa。

7.一種根據權利要求1所述方法制備的薄膜太陽能電池片，其特征在于，包括ITO導電玻璃電片，以及在ITO導電玻璃電片上依次設置的PIN電池膜層、石墨烯膜層、鋁膜層、銅鎳膜層和EVA保護膜。

8.根據權利要求8所述的薄膜太陽能電池片，其特征在于，所述ITO導電玻璃電片上包括若干均勻設置的子電池。

9.一種根據權利要求1所述方法制備的薄膜太陽能電池片在制備太陽能電池中的應用。