[發明專利]一種用于OneLTE二合一平臺的寬帶低剖面雙線極化天線

在審

• 申請號: 201710804959.4
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN109473777A
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 肖紅俠;馬昌明
• 申請（專利權）人: PC-TEL公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q15/24;H01Q19/10;H01Q21/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 孫鵬;劉春元

提供了一種用于OneLTE二合一平臺的寬帶低剖面雙線極化天線及由其形成的天線陣列裝置。根據本發明的寬帶低剖面雙線極化天線包括：輻射部分，所述輻射部分包括介質基板、介質基板上表面上間隔放置的印刷折合振子、所述介質基板下表面上的第一耦合寄生元件和所述介質基板上表面上的第二耦合寄生元件；饋電巴倫，用于為所述輻射部分饋電，其中每個印刷折合振子都具有其相應的所述第一耦合寄生元件和所述第二耦合寄生元件。根據本發明的雙線極化天線及由其形成的天線陣列裝置可以實現低輪廓和超寬帶，并且還具有結構簡單、美觀、易于工程實現和適合大批量生產的優點。

技術領域

本申請總體上涉及一種寬帶低剖面雙線極化天線，并且更具體地涉及一種用于OneLTE二合一平臺的寬帶低剖面雙線極化天線。

背景技術

最近，OneLTE技術正在迅速興起。OneLTE是指在LTE網絡中同時包括TD-LTE和LTEFDD兩種無線網絡接入方式和共用的核心網。兩者相互補充、相互配合，在網絡側實現站點級融合、網絡互操作和性能級融合，從而最大地提升了整體網絡容量和覆蓋。運營商由此可以將自身持有的包括TDD和FDD的所有頻譜用于提供統一的4G網絡體驗。

然而，用于OneLTE的現有雙線極化天線通常包括2個輻射部分（即分別用于FDD的1.8GHz和TDD的2.6GHz），這是因為每個都沒有足夠的帶寬，例如最早描述雙線極化天線的專利之一的美國專利 US3740754，它公開的雙線極化天線就無法滿足寬頻帶的需要。因此，用于OneLTE的這些天線顯然體積龐大，不適應小型化的要求。此外，在這些天線中，高低頻輻射部分之間存在較明顯的互耦，造成了不同頻段的輻射部分的輻射方向圖的畸變。

雖然近期在學術論文或工業化產品中已經出現了一些滿足OneLTE的1.8GHz和2.6GHz的二合一寬帶天線，但是這些天線的厚度通常為35mm左右，無法滿足OneLTE基站工業化設計過程中對天線的更小、更輕、更寬帶和更綠色的需求。

因此，為了解決現有技術中存在的缺陷和不足，本發明提供一種了用于OneLTE二合一平臺的滿足小型化的寬帶低剖面雙線極化天線。

發明內容

為了解決上述問題，本發明采用了如下的技術方案。

根據本發明的一個方面，提供了一種寬帶低剖面雙線極化天線，包括：輻射部分，所述輻射部分包括介質基板、介質基板上表面上間隔放置的印刷折合振子、所述介質基板下表面上的第一耦合寄生元件和所述介質基板上表面上的第二耦合寄生元件；饋電巴倫，用于為所述輻射部分饋電，其中每個印刷折合振子都具有其相應的所述第一耦合寄生元件和所述第二耦合寄生元件。

根據本發明的另一方面，提供了一種寬帶低剖面雙線極化天線陣列裝置，所述天線陣列裝置包括：多個上述的雙線極化天線；饋電網絡，其包括功分器，用于等幅同相地為該多個雙線極化天線饋電，所述饋電網絡具有兩個饋電端口，用于分別激勵±45°極化模式以通過所述功分器為每個雙線極化天線饋電；以及底部金屬反射板。

附圖說明

圖1是根據本發明的一個實施例的寬帶低剖面雙線極化天線的立視圖；

圖2是根據本發明的一個實施例的寬帶低剖面雙線極化天線的側視圖；

圖3是根據本發明的一個實施例的寬帶低剖面雙線極化天線的輻射部分的頂視圖；

圖4是根據本發明的一個實施例的寬帶低剖面雙線極化天線的輻射部分的底視圖；

圖5（a）至5（c）是據本發明的一個實施例的寬帶低剖面雙線極化天線的饋電巴倫的側視圖，其中圖5（a）示出了第一和第二巴倫的一部分，并且圖5（b）和圖5（c）分別示出了圖5（a）中第一和第二巴倫被遮擋的部分；

圖6示出了根據本發明的一個實施例的寬帶低剖面天線陣列裝置，其中的雙線極化天線為圖1和圖2中示出的寬帶低剖面雙線極化天線。