[發(fā)明專利]特高壓直流換流閥二端口電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710804900.5
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN107679285B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設計）人: 齊磊;唐義;李靜怡;崔翔
• 申請（專利權）人: 華北電力大學;全球能源互聯(lián)網研究院;國家電網公司;國網遼寧省電力有限公司電力科學研究院
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/36
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 朱琨

1.一種特高壓直流換流閥二端口電路，其特征在于，所述二端口電路由閥層電路和端口寄生電容組成，

所述閥層電路包括單閥層電路和多閥層電路；所述單閥層電路由串聯(lián)的飽和電抗器部分和晶閘管級部分組成，其中，飽和電抗器部分由飽和電抗器的主電感Lm與飽和電抗器的鐵耗等效電阻Rm組成，Lm與Rm并聯(lián)連接；晶閘管級部分由晶閘管級阻容回路電阻R_d與晶閘管結電容C_thy組成，R_d與C_thy并聯(lián)連接；分別將單閥層電路的飽和電抗器的主電感Lm、飽和電抗器的鐵耗等效電阻Rm與晶閘管級阻容回路電阻R_d乘以閥層個數(shù)，將晶閘管結電容C_thy除以閥層個數(shù)，以構成多閥層電路；

所述端口寄生電容包括高壓端閥層寄生電容C₁和非高壓端閥層寄生電容C₂；

在所述二端口電路中，將第一閥層的單閥層電路與剩余閥層構成的多閥層電路串聯(lián)，并將多閥層電路的一端接地，同時將高壓端閥層寄生電容C₁并聯(lián)到單閥層電路的兩端，將非高壓端閥層寄生電容C₂并聯(lián)到多閥層電路的兩端。

2.一種特高壓直流換流閥二端口等效電路的建模方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1)在沖擊電壓的主頻段范圍內對飽和電抗器、晶閘管的阻抗特性進行分析，根據(jù)各參數(shù)所表現(xiàn)的對外阻抗不同對閥層電路進行簡化，建立單閥層等效電路模型和多閥層等效電路模型；

步驟2)根據(jù)閥塔屏蔽罩各個導體之間的電位關系，在端子等效寄生電容提取方法的基礎上利用迭代等效方法提取閥層端口等效寄生電容；

步驟3)將步驟1)建立的閥層等效電路模型和步驟2)提取的閥層端口等效寄生電容按照閥塔的實際電氣連接狀況進行連接，得到用于高壓端閥層過電壓分析的特高壓直流換流閥二端口等效電路模型。

3.根據(jù)權利要求2所述的一種特高壓直流換流閥二端口等效電路的建模方法，其特征在于，所述閥層等效電路模型的建立方法為，

對于單閥層等效電路模型，通過對換流閥內飽和電抗器、晶閘管，及飽和電抗器的等效電感、鐵耗等效電阻所構成的電路，晶閘管的晶閘管等效電阻、晶閘管結電容所構成的電路進行阻抗頻率特性分析，對飽和電抗器部分和晶閘管級部分分別進行簡化，得到飽和電抗器簡化等效電路模型和晶閘管級簡化等效電路模型，將兩者串聯(lián)后即獲得單閥層等效電路模型；

對于多閥層等效電路模型，將單閥層等效電路模型中的電阻值、電感值分別乘以閥層個數(shù)，將電容值除以閥層個數(shù)，即得到多閥層等效電路模型。