[發明專利]發光二極管設備及其制造方法有效
| 申請號: | 201710804716.0 | 申請日: | 2017-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN108428775B | 公開(公告)日: | 2023-02-28 |
| 發明(設計)人: | 鄭鐘勛;金大式;金成烈;辛昇龍 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/44 | 分類號: | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 曾世驍;張云珠 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管(LED)設備,包括:
發光二極管;
藍寶石襯底層,被堆疊在發光二極管上;
光轉換層,被堆疊在藍寶石襯底層上,并被配置為對從發光二極管入射的光的波長進行轉換;
反射涂層,被堆疊在光轉換層上,被配置為使從光轉換層入射的光中的波長經過轉換的光通過反射涂層,并且反射其他光;以及
濾色器,被堆疊在反射涂層上,并被配置為與光轉換層相應,
其中,所述光轉換層由量子點硅氧烷樹脂實現,并且所述光轉換層具有量子點被包含在硅氧烷樹脂中的結構。
2.如權利要求1所述的發光二極管設備,其中,光轉換層還被配置為:
將從發光二極管入射的光轉換為具有相應波長的光;并且
通過光轉換層中包括的漫射材料使波長經過轉換的光漫射并發射到外部。
3.如權利要求1所述的發光二極管設備,其中,當被反射涂層反射的光被發光二極管再次反射并且被發光二極管再次反射的光的波長通過光轉換層被轉換時,反射涂層還被配置為使波長經過轉換的光通過反射涂層。
4.如權利要求1所述的發光二極管設備,還包括:多個焊盤,被形成在發光二極管的下面。
5.如權利要求4所述的發光二極管設備,還包括:金屬材料,被涂布為包圍發光二極管、光轉換層、反射涂層和濾色器的側表面,以將發射到發光二極管、光轉換層、反射涂層和濾色器的側表面的光反射到發光二極管、光轉換層、反射涂層和濾色器的內部。
6.如權利要求5所述的發光二極管設備,還包括:
聚酰亞胺層,被形成為包圍金屬材料;
襯底層,被形成在發光二極管、所述多個焊盤以及聚酰亞胺層的下面;
多個擴展焊盤,在襯底層的下面被形成為彼此間隔開;以及
多個導電材料,穿過襯底層將所述多個焊盤中的每個焊盤與所述多個擴展焊盤中的每個擴展焊盤連接。
7.如權利要求6所述的發光二極管設備,其中,所述多個擴展焊盤中的每個擴展焊盤與所述多個焊盤中的每個焊盤相應,并且被擴展到聚酰亞胺層的一些區域。
8.一種發光二極管設備的制造方法,所述方法包括:
在藍寶石襯底層的下面形成發光二極管層;
在發光二極管的下面設置多個焊盤;
將發光二極管堆疊在襯底層上,使得所述多個焊盤與襯底層的上部接觸;
將光轉換層堆疊在藍寶石襯底層上;
將反射涂層堆疊在光轉換層上;
將濾色器堆疊在反射涂層上,
其中,所述光轉換層由量子點硅氧烷樹脂實現,并且所述光轉換層具有量子點被包含在硅氧烷樹脂中的結構。
9.如權利要求8所述的方法,
其中,反射涂層被配置為使從光轉換層入射的光中的波長經過轉換的光通過反射涂層,并且反射其他光,以及
其中,當被反射涂層反射的光被發光二極管再次反射并且被發光二極管再次反射的光的波長通過光轉換層被轉換時,反射涂層還被配置為使波長經過轉換的光通過反射涂層。
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