[發明專利]MEMS器件的封裝方法及微執行器的制備方法在審
| 申請號： | 201710804342.2 | 申請日： | 2017-09-08 |
| 公開（公告）號： | CN109467045A | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 黃河;俞挺;程偉;侯克玉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍵合 襯底 封裝 第一表面 布線層 導電柱 盲孔 制作 導出線 刻蝕 傳輸路徑 第二表面 加工效率 外界電路 微執行器 電阻 減小 連線 通孔 制備 暴露 | ||
1.一種MEMS器件的封裝方法，其特征在于，包括：
在第一襯底(20)的第一表面(20a)上刻蝕形成盲孔(21)；
在所述盲孔(21)內制作形成導電柱(30)；
在所述第一表面(20a)上制作形成第一布線層(40)，所述第一布線層(40)與所述導電柱(30)接觸；
對所述第一襯底(20)的與所述第一表面(20a)相對的第二表面(20b)進行刻蝕，直至使所述盲孔(21)成為通孔且使所述導電柱(30)暴露；
在所述第一布線層(40)上制作形成第一鍵合環(50)；
在第二襯底(10)上制作形成MEMS器件以及與所述MEMS器件連接的器件導出線(11)；
在所述第二襯底(10)上制作形成第二鍵合環(12)，所述第二鍵合環(12)與所述器件導出線(11)連接；
鍵合所述第一鍵合環(50)和所述第二鍵合環(12)。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在所述盲孔(21)內制作形成導電柱(30)之前，所述MEMS器件的封裝方法還包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成導電柱種子層(60)。
3.根據權利要求2所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成導電柱種子層(60)之前，所述MEMS器件的封裝方法還包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上形成絕緣層(70)。
4.根據權利要求3所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在所述盲孔(21)內制作形成導電柱(30)的方法具體包括：
在所述第一表面(20a)上形成導電材料層，所述導電材料層填充滿所述盲孔(21)；
將所述第一表面(20a)上的導電材料層以及導電柱種子層(60)去除。
5.根據權利要求4所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在將所述第一表面(20a)上的導電材料層以及導電柱種子層(60)去除之后，所述MEMS器件的封裝方法還包括：對所述第一表面(20a)上的所述絕緣層(70)進行表面平坦化處理。
6.根據權利要求1所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在鍵合所述第一鍵合環(50)和所述第二鍵合環(12)之后，所述MEMS器件的封裝方法還包括：在所述第二表面(20b)上制作形成第二布線層(80)，所述第二布線層(80)與所述導電柱(30)接觸。
7.根據權利要求6所述的MEMS器件的封裝方法，其特征在于，在所述第二表面(20b)上制作形成第二布線層(80)之后，所述MEMS器件的封裝方法還包括：在所述第二布線層(80)上制作形成焊錫球(90)。
8.一種微執行器的制備方法，其特征在于，包括權利要求1至7任一項所述的MEMS器件的封裝方法；
其中，在所述第一表面(20a)上制作形成第一布線層(40)的同時，所述微執行器制備方法還包括：在所述第一表面(20a)上制作形成第一電極層(41)；
在所述第二襯底(11)上制作形成所述器件導出線(12)的同時，或者在所述第二襯底(11)上制作形成所述第二鍵合環(12)的同時，所述微執行器的制備方法還包括：在所述第二襯底(11)上制作形成第二電極層(13)；所述第一電極層(41)與所述第二電極層(13)所帶電荷電性相反。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，未經中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710804342.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
