[發明專利]量子級聯激光裝置

在審

• 申請號: 201710803608.1
• 申請日: 2017-09-08
• 公開（公告）號: CN107819271A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 福水裕之;角野努
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 龐乃媛

1.一種量子級聯激光裝置，具備：

基板，

半導體層疊體，具有借助次能帶間光學躍遷能夠發出紅外線激光并且設置在所述基板上的活性層、以及設置在所述活性層之上的第1包層，該半導體層疊體為設置了脊形波導路的半導體層疊體，在所述第1包層上表面沿著所述脊形波導路延伸的第1直線設置有分布反饋區域，以及

第1電極，設置在所述分布反饋區域上表面；

在所述分布反饋區域沿著所述第1直線配置有衍射光柵；

所述分布反饋區域至少包含一個沿著與所述第1直線正交方向的衍射光柵的長度隨著從所述分布反饋區域的一端向著另一端而增大的區域。

2.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述衍射光柵具有預定的間距；

所述增大的區域配置在所述第1包層的所述上表面的整個面上。

3.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述衍射光柵具有預定的間距；

所述增大的區域包含與所述分布反饋區域的所述一端相鄰的第1區域和與所述另一端相鄰的第2區域。

4.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述衍射光柵具有預定的間距；

所述增大的區域包含分別遠離所述一端和所述另一端的區域。

5.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述分布反饋區域具有所述一端一側的第1反饋區域和所述另一端一側的第2反饋區域，

所述第1反饋區域的衍射光柵的間距比所述第2反饋區域的衍射光柵的間距小。

6.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述第1電極具有所述一端一側的第1區域和所述另一端的第2區域，

能夠單獨給所述第1區域和所述第2區域分別提供電壓。

7.如權利要求2所述的量子級聯激光裝置，所述第1電極具有所述一端一側的第1區域和所述另一端的第2區域，

能夠單獨給所述第1區域和所述第2區域分別提供電壓。

8.如權利要求1所述的量子級聯激光裝置，所述分布反饋區域具有所述一端一側的第1反饋區域和所述另一端一側的第2反饋區域；

所述第1電極具有設置在所述第1反饋區域上表面的第1區域和設置在所述第2反饋區域上表面的第2區域；

能夠單獨給所述第1區域和所述第2區域分別提供電壓。

9.如權利要求8所述的量子級聯激光裝置，所述第1反饋區域的衍射光柵的間距比所述第2反饋區域的衍射光柵的間距小。

10.如權利要求1～9中的任一項所述的量子級聯激光裝置，所述活性層層疊了多個單位層疊體，該單位層疊體包含由多重量子阱層構成的發光區域和由多重量子阱層構成的電子注入區域。

11.如權利要求10所述的量子級聯激光裝置，所述發光區域的所述多重量子阱層和所述電子注入區域的所述多重量子阱層分別包含由InGaAs構成的阱層和由InAlAs構成的阻擋層。