[發明專利]一種曝光方法及圖案化目標膜層的方法

有效

• 申請號: 201710801979.6
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN107678246B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 金元仲;孟林
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;G03F7/20;H01L21/306
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明公開了一種曝光方法，所述曝光方法包括以下步驟：(a)在目標膜層上形成一金屬層；(b)在金屬層上形成一光阻層；(c)對光阻層進行光束照射，金屬層將穿過所述光阻層的光束進行反射，并返回至光阻層，以去除所述光阻層的部分光阻而形成圖案化的光阻層，并在所述圖案化的光阻層的圖案位置處露出金屬層；(d)去除所述圖案化光阻層的圖案位置處所露出的金屬層，以形成圖案化的金屬層。本發明能夠保證光阻層在曝光制程中曝光充分，從而提高高像素顯示器件的生產良率。

技術領域

本發明涉及液晶顯示面板技術領域，尤其涉及一種曝光方法及圖案化目標膜層的方法。

背景技術

隨著顯示器技術的發展，越來越多的顯示器開始采用薄膜晶體管(Thin FilmTransistor，簡稱TFT)進行像素驅動，以完成顯示器的顯示功能。

而當4K、8K顯示器研發成功并成功上市之后，人們對顯示器的分辨率的需求也越來越高。于是，屏幕供應商開始挑戰更高像素(如800ppi以上)的產品，因此，相應地，需要將顯示器件的跨接孔或線寬制造成為更小的尺寸，例如，1μm。

然而，目前業界普遍使用某一公司的曝光機模組和掩模板140進行陣列基板的制程，如圖1A～1B所示。由于受到曝光機模組的曝光極限影響(曝光極限為2μm)，因此，在超高像素顯示器件生產的跨接孔的曝光制程中，形成在下層結構110和目標膜層120上的光阻(photo resist)層130常因曝光不充分而無法被顯影掉，從而導致產品的不良。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種曝光方法及圖案化目標膜層的方法，其能夠保證光阻層在曝光制程中曝光充分，從而提高高像素顯示器件的生產良率。

為了實現上述目的，本發明提供了一種曝光方法，所述方法包括以下步驟：(a)在目標膜層上形成一金屬層；(b)在金屬層上形成一光阻層；(c)對光阻層進行光束照射，金屬層將穿過所述光阻層的光束進行反射，并返回至光阻層，以去除所述光阻層的部分光阻而形成圖案化的光阻層，并在所述圖案化的光阻層的圖案位置處露出金屬層；(d)去除所述圖案化光阻層的圖案位置處所露出的金屬層，以形成圖案化的金屬層。

在本發明的一實施例中，所述金屬層中的金屬為鉬、鈦、銀和鋁中的一種。

在本發明的一實施例中，在步驟(a)中，通過采用物理氣相沉積方式形成金屬層。

在本發明的一實施例中，在步驟(c)中，光束透過一具有圖案的光掩模照射至所述光阻層。

在本發明的一實施例中，在步驟(d)中，通過濕刻蝕的方式去除金屬層，其中，去除金屬層所使用的刻蝕液的成分為選自硝酸、磷酸及草酸中的至少一種。

在本發明的一實施例中，在步驟(a)中，所述目標膜層是由硅、二氧化硅及氮化硅中的一種材料形成。

另外，本發明還提供一種圖案化目標膜層的方法，所述方法包括：(e)通過采用上述曝光方法，以形成圖案化的光阻層和金屬層，以進一步露出部分目標膜層；(f)去除所述部分目標膜層，以形成圖案化的目標膜層；(g)剝離所述圖案化的金屬層上方的光阻層；(h)去除所述圖案化的目標膜層上方的金屬層。

在本發明的一實施例中，在步驟(f)中，當目標膜層的材料為氮化硅或硅時，選擇干法刻蝕進行刻蝕；當目標膜層的材料為二氧化硅時，選擇干法刻蝕或濕刻蝕進行刻蝕。

在本發明的一實施例中，在步驟(g)中，通過使用光阻剝離液去除所述圖案化的金屬層上方的光阻層。

在本發明的一實施例中，在步驟(h)中，通過濕刻蝕的方式去除所述圖案化的目標膜層上方的金屬層。